광반도체개론 과제 3 풀이

소개글

조선대 광반도체개론 과제 3 족보
(교재 현대 반도체 광원의 기초)

목차

1. 직접 밴드갭 물질과 간접 밴드갭 물질의 밴드 구조와 특징을 설명하여라.
2. 자발 방출과 유도 방출의 차이를 설명하여라.
3. 밴드갭 에너지가 3eV인 InGaN에서 발생할 수 있는 빛의 파장의 최대치는 얼마 인가?
4. 0.515마이크로미터의 녹색빛을 얻기 위하여 필요한 반도체의 밴드갭 에너지는 얼마인가?
5. RED(630나노미터), GREEN(515나노미터), BLUE(430나노미터) 광원을 얻기위한 반도체 종류를 열거하라.

본문내용

1. 직접 밴드갭 물질과 간접 밴드갭 물질의 밴드 구조와 특징을 설명하여라.

- 가전자대역에서 에너지 준위가 최고가 되는 운동량과 전도대역에서 에너지 준위가 최소가 되는 운동량이 일치하지 않는 밴드 구조를 간접 밴드갭 반도체(인다이렉트 밴드갭)라고 합 니다.
- 가전자대역에서 에너지 준위가 최고가 되는 운동량과 전도대역에서 에너지 준위가 최소가 되는 운동량이 일치하는 밴드 구조를 직접 밴드갭 반도체(다이렉트 밴드갭) 라고 합니다.

2. 자발 방출과 유도 방출의 차이를 설명하여라.

- 전도대역에 있던 전자가 가전자대역의 빈자리를 매우면서 전자가 가지고 있던 에너지가 빛 에너지로 전환하여 광자가 방출되는 현상이 자발 방출이다.
- 자발방출은 전도대역에 전자가 차 있고 가전자대역에 전자가 비어 있을 때(정공) 발생한다.

참고 자료

현대 반도체 광원의 기초/심종인 이종창 김종렬 공저/북스힐