전기공학실험1 12장 CE증폭기의 바이어스와 결과

목차

1. 실험 목표
2. 사용 기기 및 부품
3. 실험 이론
4. 실험방법
5. 고찰

본문내용

1. 실험 목표
1. 전압분할 bias를 이용하여 트랜지스터를 CE ac 증폭기로 구성한다.
2. CE 증폭기의 전압이득을 측정한다.
3. 에미터 bypass콘덴서가 증폭기 이득에 미치는 영향을 관찰한다.
2. 사용 기기 및 부품
1. 전원: 가변 dc 전원 공급장치
2. 계측기: 오실로스코프, VTVM, AF정현파 발생기
3. 저항: 1/2W 560옴, 1000옴, 8.2k옴, 18k옴, 220k옴
4. 반도체: 트랜지스터 2SC1815
5. 기타: ON/OFF 스위치
3. 실험 이론
CE 구성에서의 트랜지스터의 전류이득은 β라고 표시하고, 다음과 같이 정의된다.
β = = ΔIc / ΔI(B)
β가 얻어지는 bias조건은 다음과 같다.
1. 에미터-베이스 접합은 순방향 bias
2. 콜렉터-베이스 접합은 역방향 bias가 되어야한다.
트랜지스터 증폭기는 직류전류 및 전압 또는 교류전류 및 전압을 증폭하는 데 사용될 수 있다.
그림 12-1은 에미터접지 ac증폭기로 구성된 npn 트랜지스터의 회로도이다. 여기서 2개의 전원이 사용되었는데 V(BB)는 베이스-에미터 회로를 순 bias하고, V(CC)는 콜렉터-에미터 회로를 역 bias한다. 입력신호 V(in)은 콘덴서 C1에 연결되어 베이스에 가해지며, 출력신호 Vout은 콜렉터로부터 얻어진다. 저항 R1은 베이스-에미터회로의 전류를 제한하며,
V(BB)와 함께 베이스 bias전류 또는 동작점을 결정한다. 저항 R1의 큰값에 대하여 베이스 bias전류 I(B)는 다음 근사식에 의해 결정된다. I(B) = V(BB)/R1
CE회로에서 콜렉터 전류의 제어범위는 트랜지스터 β에 의존된다.

바이어스 방법과 안정도

R(E) 양단에 연결된 C(E)는 교류신호의 또 다른 지로가 되고 증폭기가 동작하는 교류신호의 주파수에서 C(E)의 콘데서 저항이 R(E) 저항보다 매우 작다면 C(E)는 교류 신호에 대해 저항의 지로가 된다. 그러면 R(E)는 효과적으로 바이패스 되면 R(E)에 인가되는 교류 전압도 무시할 정도의 크기가 된다. 따라서 증폭도는 R(E)저항이 없는것과 같은 상태로 되지만, 직류적으로는 R(E)에 의한 바이어스 안정은 유효하다. C(E)값을 결정하기 위해 R(E)값과 바이패스 되야 할 최소 주파수를 알아야한다.

참고 자료

없음