CE 구성의 특성곡선 및 B측정 예비레포트

목차

1. 목 적
2. 관련이론
3. 실험순서
4. 예비실험

본문내용

<목 적>
(1) CE구성에 대한 Vce 대 Ic 특성곡선을 실험적으로 결정한다.
(2) Ib의 변화에 따른 Ic의 변화를 측정한다.
(3) β값을 결정한다

<관련이론>
트랜지스터는 그 사용법에 따라서 (1) 에미터접지 또는 에미터공통(grounded emitter or common emitter), (2) 베이스접지 또는 베이스공통 (grounded base or common base), (3) 콜렉터접지 또는 콜렉터공통(grounded collector or common collector)의 3가지 기본 구성방법이 있다. 이들 중 에미터공통회로는 전압증폭, 전류증폭, 전력증폭을 하기 때문에 가장 많이 사용된다. 에미터공통 회로에서는 입력신호가 베이스와 에미터 사이에 가해지고, 출력은 콜렉터와 에미터 사이에서 얻어진다. 에미터공통회로에 대한 출력특성과 입력특성곡선이 그림 11-1 에 보여진다. 출력특성은 콜렉터특성(Vbe대 Ib)을 말하고, 입력특성은 베이스특성(Vbe대 lb)을 나타내고 있다.
트랜지스터는 사용목적에 따라 각각 독특한 특성을 갖도록 제조되어 있다. 따라서, 트랜지스터회로를 설계할 때는 그 회로에 사용할 트랜지스터의 특성을 정확히 알고 있어야 한다. 트랜지스터의 특성곡선은 트랜지스터의 파라미터(parameter)의 변화에 의한 영향을 그래프로 나타낸 것이다. 그림 11-3은 트랜지스터(2N217)를 에미터공통구성으로 했을 때 평균적인 콜렉터 특성(Vce 대 lc)곡선을 보여 준다. 이 곡선군의 각각의 곡선은 베이스전류값을 일정하게 유지하고, Vce의 변화에 따른 Ic의 변화를 도시한 것이다. 또한 곡선은 입력 베이스전류치를 일정한 간격으로 증가시킬 때 이에 따른 콜렉터전류치의 증가를 나타낸 것이다. Vce = -1V의 세로좌표축 오른편에서 콜렉터전류는 콜렉터전압에 거의 무관하게 일정하며, 주로 베이스전류에 관련되어 있음을 알 수 있다.

참고 자료

없음