반도체다이오드 특성실험

목차

⑴ 실험 원리 및 결과 해석
⑵ 오차 및 오차의 원인
⑶ 실생활 예시

본문내용

⑴ 실험 원리 및 결과 해석
원소 주기율표에서 3,4,5족이 반도체에 사용된다. 4족 Si 으로만 이루어진 진성반도체, Intrinsic Semiconductor는 공유결합이 강해서 저항이 크고, 전도도가 낮아 전도체로 사용되기 힘들기 때문에 3족이나, 5족을 도핑한다. 3,5족을 도핑한 반도체를 불순물반도체, Extrinsic Semiconductor라고 하고 진성반도체보다 공유결합이 약하다.

우선 p형 반도체의 경우 3족을 도핑한 반도체로 전자가 하나 비게 되어 양공이 생긴다. 이 때, 자유전자가 양공을 통해 이동한다.
n형 반도체는 5족을 도핑한 반도체로 전자가 하나 남아 전자가 이동한다.

다이오드는 p형 반도체와 n형 반도체를 연결한 것이다.
두 반도체가 합해지면 Fermi Level()이 같아지려고 하고, 이 때, 문턱 전압이 발생하게 된다.
순방향으로 접합했을 경우, 문턱 전압이 낮아지면서 전류가 흐르기 시작한다.

참고 자료

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