FET특성곡선 측정회로
- 최초 등록일
- 2019.07.29
- 최종 저작일
- 2016.03
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소개글
"FET특성곡선 측정회로"에 대한 내용입니다.
목차
1. 실험 목적
2. 사용기기 및 부품
3. 실험 방법
4. 실험 사진
5. 실험 결과
6. 검토 및 고찰
본문내용
● 실험 목적
- 이론을 통해 배웠던 특성곡선에 대해 확인한다.
- 이론을 통해 배웠던 FET증폭회로에 대해 확인한다.
● 사용기기 및 부품
- 직류전원 공급기, 신호 발생기, npn트랜지스터(2N5485), 디지털 멀티미터, 저항, 오실로스코프
직류전원 공급기
신호 발생기
npn 트랜지스터(2N5485)
디지털 멀티미터
저항
오실로스코프
사용 저항 값
(1MΩ, 2MΩ, 3MΩ, 10kΩ, 22kΩ, 33kΩ 등)
● 실험 방법
1. 회로를 구성하고, VGS=0으로 둔다.
2. VDD를 0V에서 2V씩 증가시키면서 20V까지 측정한다. VDS를 측정하여 표에 기록한다. 전류증가가 둔화되는 부분에서는 세밀하게 측정함으로써 Vp와 IDSS를 정확히 측정할 수 있도록 한다.
3. VGS를 0.5씩 감소시키면서 -2.5V까지 측정한다. VDS와 ID를 측정하여 표에 기록한다. VGS가 핀치오프전압에 도달할 때까지 반복한다.
4. FET의 소스공통 특성곡선을 구하여 그린다.
참고 자료
없음