[전자과 기초실험] A+ 전자과 실험 보고서 다이오드 예비 보고서

목차

1. 실험 목적
2. 실험 장비
3. 실험 이론
4. 예비 고찰
5. 참고 문헌

본문내용

1. 실험 목적
다이오드는 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 소자이다. 본 실험에서는 다이오드의 기본 성질을 이해하고, 다이오드를 이용한 여러 가지 회로를 구현해 본다.

2. 실험 장비
- 실험 장비 : 오실로스코프(1대), 펑션제너레이터(1대), 파워서플라이(1대), 멀티미터(1대), 브레드보드(1대)
- 실험 부품 : 다이오드(IN4001 4개), 저항(1kΩ 1개)

<중 략>

pn 접합 : n 영역에는 많은 전자들이 있고, p 영역에는 반대로 많은 수의 정공들이 존재한다. 접합이 형성되는 순간에, 접합면 근처에 있는 전자들은 p 영역으로 이동을 하게 되고, 접합 근처에서 정공과 재결합을 하게 된다. 이러한 재결합의 결과로, 많은 수의 음이온과 양이온이 pn 접합 근처에 생기므로 n 영역의 전자들이 p 영역으로 이동하기 위해서는 양이온의 당기는 힘과 음이온의 미는 힘을 극복하여야 한다. 결국 이온층이 형성됨에 따라 접합 양쪽에서는 전자와 정공이 존재하지 않는 공핍 층이 발생하게 된다.

<중 략>

◎전파정류회로(Full-wave rectification circuit) : 전파정류회로에는 중간 탭이 있는 변압기를 이용하는 방법과 브리지 다이오드를 이용하는 정류회로가 있다.

그림 5과 같이 4개의 다이오드들이 브리지 형태로 연결되어 있다. 어느 한 순간 입력되는 전압이 v > 0 일 때 D1과 D4는 전류 흐름의 역방향이므로 전류가 흐르지 않는다. 때문에 그림 6와 같이 전류가 흐르게 된다. 반대로 v < 0 일 때에는 D2와 D3에 전류가 흐르지 않으므로 그림 7와 같이 될 것이다.

<중 략>

반파 정류 회로 실험에서 입력되는 전압의 순방향 성분만 통과되어 반파되는 파형을 볼 수 있을 것이다. 여기서 다이오드에 측정된 전압의 최솟값이 문턱전압이라 부르고, 문턱전압의 이론값은 상온에서 0.7V이다. 하지만 다이오드는 온도에 따라 매우 민감하기 때문에 오차가 매우 크게 나타날 수도 있다.

참고 자료

신윤기, 그림으로 쉽게 배우는 전자회로, 인터비전, 2003, pp13-33
이종현, P-N Junction & Schottky Diode, 대한전자공학회, 1982