실험02 MOSFET Digital Logic Gate(예비)

목차

1. 실험 주제
2. 실험과 관련된 기초이론
3. 실험 장비
4. 실험 방법

본문내용

1 실험 주제
- Digital Logic Gate를 기초로 하여 MOSFET의 동작을 이해한다.

2 실험과 관련된 기초이론
디지털 논리회로는 BJT와 MOSFET을 이용해 구현할 수 있다. 여기서는 MOSFET을 이용하는 것을 해보고 Passive Load와 Active Load를 이용한 n-MOSFET 회로와 n-channel, p-channel 장치를 사용한 CMOS회로를 설계 후 테스트 해볼 것이다.
MOSFET Logic Gate의 장점은 높은 Input Impedence를 가짐으로써 전력 소모를 줄인다는 점이다. BJT를 기초로 한 게이트들 (TTL, ECL)등은 MOSFET Gate들과 비교해 볼 때 스위칭 시간이 더 빠르다는 이점을 가진다.
그림 1과 2는 MOSFET NAND Gate와 NOR Gate이다. 이 게이트들은 저항이나 다이오드 없이 구현 되었다. 각각의 회로에서 M1 트랜지스터의 Gate와 Drain을 연결하여 Load 저항을 대체하였다. 이 설정으로 M1 트랜지스터는 회로에서 Active Load로 동작한다.

참고 자료

없음