논리예비9 RAM
- 최초 등록일
- 2012.12.23
- 최종 저작일
- 2012.11
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소개글
논리회로실험 예비보고서입니다.
목차
1. 실험목적
2. 실험이론
3. 예상결과
본문내용
1. 실험목적
- 반도체 memory의 기본적인 동작 원리를 알아보고 64-bit 기억 소자의 동작을 실험을 통해 확인해본다.
2. 실험이론
1) RAM
RAM은 정보를 저장하거나 저장된 정보를 읽어낼 수 있는 기억장치를 말한다. 일반적으로 기억장치는 주소(address) 개념을 갖는다. 물건을 저장할 때 저장장소의 번호(주소)를 알아 놓으면 다음에 물건을 꺼낼 때 그 번호(주소)에 해당하는 공간에 가면 바로 물건을 찾을 수 있게 된다. 이와 같은 주소 개념이 기억장치에 그대로 적용된다. 일반적으로 기억장치는 많은 정보를 저장할 수 있는 커다란 창고로 생각할 수 있으며, 저장된 정보를 효율적으로 저장하고 다시 꺼낼 수 있도록 하기 위해 커다란 저장 공간을 보다 작은 영역으로 분리하고 각 영역마다 주소를 붙여 관리한다. RAM 기억장치의 개념도 및 블록도를 나타낸 위 그림을 보면 RAM은 0번지부터 2n-1번지까지 총 2n개의 주소를 가지며, 각 주소번지마다 m비트의 정보를 저장할 수 있다. 이와 같은 RAM은 2n×m 비트의 저장용량을 갖는다고 말한다. 2n×m비트 RAM은 주소 입력선 n개, 데이터 입출력선 m개, 읽기/쓰기 제어선 등을 가진다.
<중 략>
읽은 후 ME, WE를 5V에 연결하기
- 원하는 데이터 쓰고 읽기
앞의 과정을 통해 원하는 데이터를 쓰고 읽기
- 휘발성 실험
데이터를 쓰고 칩의 전원 입력을 끊었다가 다시 연결하고 데이터를 확인하여 입력한 값과 비교하기
참고 자료
없음