전전자 예비(트랜지스터)

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목차

1. 트랜지스터(Transistor)란?
2. 트랜지스터(Transistor)의 특성
① 포화영역 : 베이스 전류를 크게 해도 그 이상 컬렉터 전류가 증가하지 않는 영역
② 활성영역 : 베이스 전류의 변화에 따라 컬렉터 전류가 변화하는 영역
③ 차단영역 : 베이스 전류가 없기(또는 극소량) 때문에 전류가 흐르지 않는 영역
3. 트랜지스터(Transistor)의 종류

본문내용

REPORT
- 트랜지스터(Transistor)에 대해서 -
1. 트랜지스터(Transistor)란?
1) 정의트랜지스터란 규소나 저마늄으로 만들어진 반도체를 세 겹으로 접합하여 만든 전자회로 구성요소이며 전류나 전압흐름을 조절하여 증폭, 스위치 역할을 한다. 가볍고 소비전력이 적어 진공관을 대체하여 대부분의 전자회로에 사용되며 이를 고밀도로 집적한 집적회로가 있다.
2) 용도아날로그 회로에서는 매우 많은 종류의 트랜지스터가 사용되지만 디지털 회로에서는 그다지 많은 종류는 사용하지 않는다. 디지털 회로에서는 ON 아니면 OFF의 2차 신호를 취급하기 때문에 트랜지스터의 증폭 특성에 대한 차이는 별로 문제가 되지 않는다. 디지털 회로에서 트랜지스터를 사용하는 경우는 릴레이라고 하는 전자석 스위치를 동작시킬 때(릴레이는 구동전류를 많이 필요로 하기 때문에 IC만으로는 감당하기 어려운 경우가 있다), 발광 다이오드를 제어하는 경우 등이다.
2. 트랜지스터(Transistor)의 특성
1) 증폭 작용베이스에는 아무 것도 접속하지 않고 이미터에 전원의 (-) 전압, 컬렉터에는 전원의 (+)전압을 가한다. 저항 Rc는 컬렉터의 부하 저항이다. 이때 컬렉터의 전자와 베이스의 정공은 PN접합에 대해 역방향 전압을 가한 것이므로 전류는 거의 흐르지 않는다. 다음에 베이스에 부하 저항 Rb를 통해 (+)전압에 접속하면 이미터의 전자는 베이스의 (+)전압에 의해 베이스와 이미터의 전위 장벽을 뛰어 넘어 베이스의 정공 쪽으로 이동하기 시작하므로 베이스 전류 IB가 흐른다. 그런데 트랜지스터의 접합에서 베이스는 극히 얇게 만들었기 때문에, 이때 이미터의 전자는 이미터의 전자와 함께 컬렉터의 (+)전압에 의해 이동을 시작하여 이미터와 컬렉터 사이가 도통 상태가 되어 컬렉터 전류 Ic가흐른다. 또 베이스는 매우 얇기 때문에 베이스 안에 존재하는 정공 수가 매우 적어 이미터의 전자는 베이스의 정공쪽으로 이동하는 것보다는 컬렉터의 (+)전압 쪽으로 이동하는 것이 압도적으로 많

참고 자료

없음