기초전자공학실험 다이오드 예비레포트

소개글

홍룡과학출판사 책 기반으로 만들었어요

목차

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본문내용

1. 실험 목적
본 실험을 통해
다이오드의 특성에 대해 이해한다.
다이오드 특성에 따른 순방향, 역방향 바이어스를 실험을 통해 확인한다.
여러 종류의 특수다이오드의 특성을 이해한다.
2. 관련이론
<다이오드의 원리>
다이오드는 크게 N형 반도체와 P형 반도체로 구성되어있다.
▷ N형 반도체
게르마늄(Ge)이나 실리콘(Si)의 결정에 극소량의 5가인 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb)을 소량 첨가하면, 비소는 전자를 5개 갖고 있으나, 실리콘은 4개이므로 비소의 원자 1개는 자유전자가 되어, 결정 내에서 쉽게 움직인다. 이와 같이 자유전자가 여분으로 존재하는 Negative의 전자가 케리어가 되므로 N형 반도체라 부른다. 여기서 인공적으로 자유전자를 만들기 위해 혼합하는 5가의 원자를 도너(donor)라 한다.
▷ P형 반도체
P형 반도체란 Positive「＋」의 의미를 나타낸다. 4족 원소인 규소, 게르마늄 결정에 실리콘이나, 게르마늄에 인듐(In), 알루미늄(Al) 등의 3가 원자를 소량 첨가하면, 인듐은 전자가 3개로 부족하기 때문에 정공(양공, 전자가 빈자리, hole)이 생기게 된다. 이렇게 되면 전기전도성이 커져서 양(+)의 전하 운반체를 가진다. 여기에서 케리어는 Positive의 정공이므로 P형 반도체라고 한다. 여기서 인공적으로 정공을 만들기 위해 혼합하는 3가의 원자를 억셉터(acceptor)라 한다.
▷ 다이오드
P형 반도체와 N형 반도체를 접합시킨 구조로써 접합면에서 전기적인 복잡한 현상이 일어난다.

참고 자료

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