알기쉬운 반도체
- 최초 등록일
- 2023.06.10
- 최종 저작일
- 2022.04
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목차
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본문내용
1) 반도체는 도체와 절연체 사이에 중간적 전기 특성을 나타내는 물질입니다. 반도체의 전기전도도는 도핑, 즉 불순물 원자를 추가함으로써 크게 변화될 수 있으며, N형 또는 P형 반도체를 형성할 수 있습니다. P형 반도체를 형성하는 도핑 과정을 에너지밴드다이어그램을 이용하여 서술하시오.
답)
T : 온도, 300K : 상온
- P형 반도체에는 공유 결합을 하지 않는 여분의 정공이 생긴다.
이 정공들은 valence band의 최저 에너지 준위(Ev) 가까이 위치(Ea) 한다.
온도가 올라감에 따라 valence band에 있는 전자들이 쉽게 Ea로 이동할 수 있다.
2) 반도체에서의 캐리어의 확산(Diffusion) 및 표류(Drift)에 대하여 설명하고, 캐리어(전자와 전공) 이동에 의한 4가지 독립적인 전류 메커니즘을 서술하시오.
답)
확산 - 불규칙적 운동에 의한 결과로, 캐리어가 많은 곳(고밀도)에서 적은 곳(저밀도)으로 이동하는 것을 의미한다.
표류 - 전계에 의한 전하의 이동을 의미한다. 인가된 전압에 의해 전계가 생성되고 이로 인해 전자는 양극(전계 방향의 반대 방향), 정공은 음극(전계 방향)으로 이동하는 현상이다.
참고 자료
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