산화그래핀 분리막의 구조는 산화그래핀의 크기와 산화그래핀 용액의 pH 조절을 통하여 조절될 수 있다. ... 특히 산화그래핀 분리막의 좁은 기공과 이산화탄소 선택적인 산화그래핀 자체의 특성으로 인하 여 산화그래핀 분리막은 이산화탄소에 대한 높은 투과도 및 선택성을 가지며, 이는 이산화탄소 ... 본 연구에서는, 스핀 코팅 법을 이용하여 제조된 산화그래핀 분리막의 기체 투과 거동을 평가하였다.
본 총설에서는 헬스케어산업에서 AL 분리막 기술의 역할과 기술개발이 필요한 난제들을 정리하였다. ... 현재 대부분의 AL 관련문헌은 임상결과에 집중되 어 있으며, AL 분리막의 개발연구는 매우 부족한 편이다. ... 한국막학회 멤브레인 박동현, Bao Tran Duy Nguyen, Bich Phuong Nguyen Thi, 김정
Microfiltration (MF) and Ultrafiltration (UF) membrane processes capable of producing highly purified water have been extensively applied as a pretre..
특히 HA-GO의 산화 방지 특성으로 인해 HA-GO가 첨가된 복합 막은 펜톤 평가 (Fenton’s test) 이후 수소이온 전도도의 유지 특성이 Nafion 단일 막에 비해 큰 ... 본 연구에서는 산화 방지 특성이 있는 가리워진 아민기를 함유한 산화 그래핀(hindered amine grafted graphene oxide, HA-GO)을 합성하여 이를 도입한 ... 나피온(Nafion) 기반의 복합 막을 제조한 후 고분자 전해질 막 연료전지 시스템에 응용하였다.
본 연구에서는, 산화그래핀이 함유된 폴리이미드 나노복합막을 제조하였다. ... 본 연구를 통하여 산화그래핀이 함유된 폴리이미드 나노복합막이 기체 차단성을 가지고 있음을 확인하였다. ... 더 나아가, Triton X-100이나 sodium deoxycholate (SDC) 등의 계면활성제를 나노복합막에 도입함으로써 산화그래핀의 고분자 매트릭스 내에서의 분산성을 향상시켜
Sb-doped SnO2 (ATO) transparent conducting films are fabricated using horizontal ultrasonic spray pyrolysis deposition (HUSPD) to form uniform and co..
바나듐 산화환원 흐름 전지에 핵심적으로 사용되는 이온교환막은 일반적으로 양이온교환막을 사용하고 있으나 co-ion인 바나듐 이온의 투과에 의한 장기적 성능 저하 문제를 해결하기 어렵다 ... 제조된 음이온교환막들에 대해 바나듐 이온 투과 정도 및 장기 운전 안정성을 관찰한 결과 triethylamine을 관능기로 적용한 음이온교환막에서 높은 에너지효율을 유지하면서도 가장 ... 한국막학회 멤브레인 이재명, 이미순, 남기석, 전재덕, 윤영기, 최영우
We used an etching process to control the line-width of screen printed Ag paste patterns. Ag paste was printed on anodized Al substrate to produce a ..
The water containing soluble manganese may cause problems such as discolored water, unpleasant taste, fouling or scaling of pipes in water distributi..
정의 - ECMO(체외순환막형산화요법, Extracorporeal Membrane Oxygenation)는 생명 유지를 도와주는 체외순환 기기이며, 기존의 일반적인 치료 방법으로는 ... - ECMO시술 하거나 사용과정에서 대동맥박리증이나 심장이나 혈관이 천공/파열 가능 - 심장을 싸고 있는 심장막 내부에 혈액이 고이며 심장막압전 가능 3) 허혈성손상(색전증 등) - ... 존재하여 확산에 의해 산소는 공급되고 이산화탄소는 제거되는 가스교환이 일어나는 방식인 막(membrane type)형이 많이 쓰임 4.
Furnance를 이용한 산화막 증착 1. ... 그렇다면, 이렇게 든든한 보호막 역할을 하는 산화막은 어떻게 형성되는 것일까요? ... 보통 산화막 형성에는 열산화, 전기 화학적 양극 처리, 플라즈마 보강 화학 기상 증착(PECVD) 등 여러 가지 방법이 있지만, 고온의 환경에서 웨이퍼에 산화막을 형성하는 열산화가
산소화 요법으로 체내의 정맥혈을 펌프를 통하여 체외로 뽑아내어 산소막을 통과시켜 적절한 산소화를 시킨 후 이를 다시 환자의 동맥을 통하여 주입하는 생명유지 장치 . ... ECMO -V-V ECMO weaning protocol -ECMO 합병증 -ECMO 금기증 ECMO (extracorporeal membrane oxygenation ) 동정맥 체외막 ... 목적 . (1-4 시간 정도 시행 ) -ECMO 심폐 부전 환자들이 자체 치유 과정을 거칠 수 있도록 심폐보조를 하는 것이 목적 . ( 수일 -2 주까지 장기간 시행 ) ①반투과성 막형
SOG박막 밑에 층간 절연박으로 사용하는 PECVD산화막을 Si rich산화막으로 만들어 줌으로써 실리콘 dangling bond가 수소원자나 수분과 결합하여 SOG박막으로 부터 ... 이러한 Si rich산화막의 기본 특성을 알아보기 위하여 LF/HF power비와 SiH4/N2O gas유량비를 변화시켜서 박막 특성을 조사하였다. ... Si-O-Si peak의 세기가 감소하고 낮은 파수영역으로 이동하며, AES분석 결과에서 일반적인 oxide(Si:0=1:1.98)에서 보다 Si:O비가 1:1.23으로 낮아 PECVD산화
N2O 기체를 이용한 산화막 성장은 삼화제 확산에 의해 성장이 지배되는 포물선 성장론을 따르고 산화제 확산 억제작용은 실리콘 산화막과 실리콘 기판사이에 존재하는 oxynitride막에서 ... 확산이 산화막 성장을 결정하는 구간에서 포물선 성장율 상수 B의 활성화 에너지는 약 1.5 eV이고 산화막 두께 증가에 따라 증가한다. ... 실리콘 산화막을 N2O 분위기에서 RTP로 제조하여 그 성장 기구를 고찰 했다. 산화막과 기판 실리콘 계면 사이에 질소성분이 포함된 oxynitride층이 존재한다.
Silicon dioxide as gate dielectrics was grown at 400˚C on a polycrystalline Si substrate by inductively coupled plasma oxidation using a mixture of O..
산화막을 증착했을 때 TEOS-O3 산화막의 증착 특성을 조사하였다. ... 또한 TEOS-O3 산화막의 깔개층 물질 의존성 및 패턴 의존성을 줄이기 위해 다층 배선에서 1차 배선후에 깔개층, 즉 TEOS-base 프라즈마 산화막 및 SiH4-base 프라즈마 ... 그리고 그 깔개층 물질에 N2 프라즈마 처리를 했을 때 TEOS-O3 산화막의 증착 특성에 대해 조사하였다.
산화막의 굴절률은 1.49의 값으로서 열산화막의 굴절률에 근접한 값을 나타냈다. ... ˚C, 1분)을 통하여 저온 산화막을 제조하였다. ... 이 결과로부터 다공질 실리콘층을 저온산화막으로 제조할 때, RTO공정이 산화막의 치밀화(densification)에 크게 기여함을 알 수 있었다.
Gate oxide의 특성은 세정공정에서 사용된 last세정용액에 큰 영향을 받는다. Standard RCA, HF-last, SCI-last, and HF-only 공정들은 gate oxidation하기 전 본 실험에서 행해진 세정공정들이다. 세정공정을 마친 Si기판..