다공질 실리콘을 이용한 저온 산화막의제조
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- 최초 등록일
- 2016.04.02
- 최종 저작일
- 1996.05
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서지정보
ㆍ발행기관 : 한국재료학회
ㆍ수록지정보 : 한국재료학회지 / 6권 / 5호
ㆍ저자명 : 류창우, 심준환, 이정희, 이종현, 배영호, 허증수
한국어 초록
다공질 실리콘층(Porous Silicon LayerLPSL)을 사용하여 저온 열산화 (500˚C, 1시간)와 급속 열산화공정(rapid thermal oxidationLRTO)(1150˚C, 1분)을 통하여 저온 산화막을 제조하였다. 제조된 산화막의 특성을 IR흡수 스펙트럼, C-V 곡선, 절연파괴전압, 누설전류, 그리고 굴절률을 조사함으로써 알아보았다. 절연파괴전압은 2.7MV/cm, 누설전류는 0-50V 범위에서 100-500pA의 값을 보였다. 산화막의 굴절률은 1.49의 값으로서 열산화막의 굴절률에 근접한 값을 나타냈다. 이 결과로부터 다공질 실리콘층을 저온산화막으로 제조할 때, RTO공정이 산화막의 치밀화(densification)에 크게 기여함을 알 수 있었다.
참고 자료
없음
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