실험 8. R A M

소개글

반도체 memory의 기본적인 동작 원리를 알아보고 MSI(TTL) 64-bit 기억 소자의 동작을 실험을 통해 확인한다.

목차

1. 실 험 목 적

2. 이 론
◆IC 메모리(integrated circuit memory)
◆RAM
◆Cache
◆DRAM(Dynamic RAM) → 동적램
◆SRAM(Static RAM) → 정적램

3. 실 험 방 법

본문내용

1. 실 험 목 적
반도체 memory의 기본적인 동작 원리를 알아보고 MSI(TTL) 64-bit 기억 소자의 동작을 실험을 통해 확인한다.

2. 이 론
여러 개의 R-S F/F을 사용하는 것이 반도체 RAM이다. memory 안의 F/F을 제어하기 위한 여러 단의 입력을 사용함으로써 외부의 제어 상태에 따라 정보를 random하게 memory에 기록하거나 읽어낼 수 있다.
실험에서 사용되는 memory는 positive logic일 때는 데이터가 memory에 기록되고 negative logic일 때는 밖으로 읽혀진다. 이런 양립성은 shift register에 데이터가 병렬로 들어감으로써 이루어질 수 있다.
상업용 RAM은 각 위드가 8비트~64비트로 된 수천 개의 워드 용량을 가지고 있는데 여기에 있는 메모리 장치의 모형을 확장시키면 용량이 큰 메모리 장치의 설계도가 될 수 있다.
또 RAM의 종류에는 동적 RAM과 정적 RAM이 있는데, 동적(dynamic) RAM은 MOS로 구성되어 MOS안의 콘덴서에 전하(electric charge)의 형태로 정보를 저장하며, 이 전하는 시간에 따라 방전하므로 주기적인 재충전이 필요하며, 이를 통해 정보가 유지된다. 정적(static) RAM은 하나의 이진 정보를 저장할 수 있는 플립플롭들로 구성되어 있어서 일단 어떤 하나의 워드가 어떤 위치에 기록되기만 하면 같은 위치에 저장되지 않고, 그 칩에 전원이 공급되는 한 저장된 상태로 남아있다.

◆IC 메모리(integrated circuit memory)
1970년경부터 종래의 코어메모리, 와이어메모리와 대체되어 사용되기 시작했으며, 그 우수성으로 현재는 컴퓨터용 메모리의 중심을 이루고 있다

참고 자료

없음