분자빔 에피탁시 (MBE)의 원리 개요 를 담은 논문형식 레포트

소개글

분자빔 에피택시에 대하여 재료공학, 신소재공학 학생들이 이해하기 쉽게 담은 논문형식 레포트
MBE의 원리, 개요, 응용을 서술하였음
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목차

초록
개요
원리
system
박막에의 응용
결론
참고문헌

본문내용

분자선 에피탁시(molecular beam epitaxy, MBE)
초록
분자선 에피탁시(molecular beam epitaxy, MBE)는 반도체, 금속, 절연체 등의 epitaxtial layer 성장기술로 열에너지를 갖는 구성원소의 분자선과 초고진공(10-10 10-11Torr)내에서 임의의 반응온도(400~ 800℃)로 유지된 substrate에서 장치 내의 원료 물질을 증발시켜 기판에 증착시키는 물리적 증착 기술 즉, PVD 기술의 하나이다. MBE는 다른 성장방법과 비교하여 볼 때 많은 장점을 가지고 있어 super lattice 성장은 물론 quantum well, semiconductor lasers 나 light-emitting diodes와 같은 semiconductor devices에 쓰인다.
1. 개요
에피탁시는 그리스 문자 epi(위에)와 taxis(배열)의 합성어로서 결정구조를 갖는 물질(기판)위에 기판과 같거나 또는 다른 결정 구조를 갖는 물질을 성장시키는 기술을 뜻한다. 쉽게 말해서 케이크처럼 층층이 자신이 원하는 물질을 기판위에 쌓는 것이라 생각하면 되겠다. 기판과 같은 결정구조를 성장하는 것을 homo epitaxy라 하며, 기판과 다른 경우 hetero epitaxy라 한다.
에피탁시는 방법에 따라 크게 세 가지로 분류되는데, 액상 에피택시(liquid phase epitaxy, LPE), 기상 에피탁시(vapor phase epitaxy, VPE), 분자선 에피탁시(molecular beam epitaxy, MBE)등이 있으며, 최근에는 서로 결합된 방법도 많이 사용된다.
그 중 MBE는 1970 년대 초기에 개발되었다.

참고 자료

1. MBE 장치 제작 및 Ge 에피층 성장, 저자 吳暻錫, 학위수여일 1994, 발행일 1994.02 학위수여기관 忠南大 大學院
2. http://blog.naver.com/zeusupiter/10000503666
3. 박막기술과 응용, 히라오다까시 외, 겸지사
4. 박막공학의 기초, 최시영, 마대영, 박욱동, 최규만, 김기완, 도서출판 일진사
5.Thin-Film Deposition Processes and Technology 381~444p
6. http://en.wikipedia.org
7. 分子線 에피탁시 ( MBE ) /金昌埴 수록지명 새물리 23,1(`83.3) pp.109-115 한국물리학회
8. http://blog.naver.com/x_tough_x
9. http://blog.naver.com/zeusupiter?Redirect=Log&logNo=10000503666