게이트(gate)와 7세그먼트(segment) 전기적소자의 특성과 실험 결과

소개글

직접 게이트와 7segment를 실험하여 그림과 표로 값을 보여주고 결론을 내림.

목차

7segment
결 론
Gate 실험
◦NAND Gate
◦AND Gate
◦OR Gate

본문내용

□ 7-Segment 실험
5월 11일 실험수업이 끝난 후 제2공학관 310호 실험실을 빌려서 실험을 하였다. 먼저 7세그먼트 실험을 했는데 데이터 시트를 찾을 수가 없어서 각 부분에 하나하나 연결을 하면서 Vcc와 GND를 찾고, abcdefg를 찾아 실험을 하였고 저항은 100Ω 짜리를 사용했다.

□ 결 론
처음에는 전압만 인가하면 되는 줄 알고 무턱대고 전압을 인가하다가 실수로 7Segment하나를 태워먹고 그때부터 100Ω의 저항을 연결하였다. 이때부터 전류가 흘러 본격적인 실험을 실시하였는데 200Ω 저항도 연결해 보았지만 같은 전압에서 저항이 작을수록 더 밝기가 밝은 것을 볼 수 있었다. 전력효율 측면에서 저항은 작은 것을 연결하는 것이 좋다는 것을 알 수 있었다.

□ Gate 실험
7Segment 실험 후 Gate에 대한 전기적 특성 실험을 하였다. 게이트는 AND, OR, NAND 3종류의 게이트에 대한 실험을 하였다. Gate에 0V~5V까지의 전압을 입력에 인가하여 입력신호가 1, 0이 나오고 몇V의 전압에서 high와 low로 인가되는지를 알아보고자 하였다.

◦NAND Gate
•이 론
입력부분인 A와 B에 전압을 인가하여 HIGH와 LOW를 인가하면 출력은
위 표와 같이 나온다.

•실 험
A에 5V를 인가하였을 때 B의 전압을 변화시켰다.
•결 론
NAND Gate는 1.0V 이하에선 LOW, 1.2V 이상에선 HIGH가 입력된다는
것을 알았고 Data Sheet 대로 A-HIGH, B-LOW가 걸리면 Out-HIGH,
A-HIGH, B-HIGH가 걸리면 Out-LOW 값이 나왔다. 전압이 1.2V이상에선
5V를 넘어가도 출력은 변하지 않았고 처음 5V를 인가하였을 때 0.66V의
전압강하가 일어났다.

참고 자료

없음