photo diode
- 최초 등록일
- 2007.12.23
- 최종 저작일
- 2007.12
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소개글
Photo diode에 관한 레포트
목차
1. Photo Diode의 정의
2. Photo Diode의 재료
3. 동작원리
4. Photo Diode의 특징
5. 구조에 따른 Photo Diode의 분류
6. Photo Diode의 특성과 용도
7. Photo diode의 응용
8. 참고문헌 및 사이트
본문내용
1. Photo Diode의 정의
포토다이오드(Photo Diode)는 n형 기판상에 p형층을 형성시킨 p-n접합부에 발생하는 광기전력 효과를 이용한 소자이며 입사광을 유효하게 이용하기 위해 표면에 반사 방지층이 설치되어 있다. 포토다이오드는 재료, 형상, pn접합의 위치 등에 의해 수광 파장 영역이 다르다.
★ Bias
①.순방향 바이어스 (광기전방식)
→ P-N접합에 p형 쪽에 (+), n형 쪽에 (-)전압을 외부에서 인가했을 때, 이 전압을 순방향 바이어스(forward bias)라 한다. 이와 같이 (+)단자는 P형 쪽에, (-)단자를 N형 쪽에 연결하면 정공은 N형 쪽으로, 전자는 P형 쪽으로 끌려서 접합면을 넘어 들어가서 전자-정공의 재결합에 의해서 소멸된다. 외부에서 전압이 계속 공급되는 동안은 (+) 전원에서는 +e를, (-)전원에서는 -e를 계속 공급하므로 계속해서 전류가 흐른다. 그러므로 순방향 바이어스가 가해지는 상태에서는 P형 쪽의 정공은 접합면을 지나 N형 쪽으로 가서 소수 캐리어가 되고, N형 쪽에서 P형 쪽으로 이동한 전자도 소수 캐리어가 되어 전류를 흐르게 한다. 이 전류를 소수 캐리어에 의한 전류라 한다. 다이오드에 흐르는 전류는 소수 캐리어로 작용하는 정공과 전자에 의한 전류의 합으로 표시된다.
②.역방향 바이어스 (광도전방식)
→ 외부에서 P형 쪽에 (-), N형 쪽에 (+)전압을 인가했을 경우를 역방향 바이어스(reverse bias)라 한다. (+)단자는 N형 쪽에, (-)단자는 P형 쪽에 연결하면 N형의 전자는 (+)단자로 끌리게 되며, P형의 정공은 (-)단자로 끌려서 다수 캐리어가 접합면으로부터 멀어지게 된다. 다수 캐리어가 접합면에서 멀어지면 P형 쪽에는 고정된 Donor 이온이 노출되어 (-) 전하밀도의 영역이 커지게 되고,
참고 자료
1. 센서공학 (이승 저, 청호출판사, 2000년)
2. 최신 센서공학(석영권·박정호 공저, 1998년)