제일원리

소개글

전산모사 실험 결과 레포트 입니다..

목차

■ Cutoff energy의 수렴성을 계산하시오.
■ 결정한 cutoff energy로 격자상수를 계산하시오.
■ 결정한 cutoff energy와 격자상수로 DOS를 계산하시오.
■ 조교로부터 받은 DOS 데이터

본문내용

우선, 내가 계산한 DOS 값의 그래프를 살펴보면 Energy가 0eV인 지점 부근에서 DOS값이 0인 것을 볼 수 있다. 이는 Density of states가 0인 것으로 미루어 보아, 이 부근에서 Band Gap이 생겼다는 것으로 볼 수 있다. 이에 비해, 조교님으로부터 받은 데이터의 그래프를 살펴보면 Density of states가 0인 지점이 0eV가 아닌 0eV ~ 2eV사이 부근에서 나타나는 것을 볼 수 있다. Band Gap이 positive값을 갖는 쪽으로 움직인 것으로 보아 P-type으로 도핑된 것으로 추측된다. P-type으로 도핑 되기 위해서는 3족 원소와 결합해 hole을 만들어야 하므로 Baron과 Phosphorus(5족) 중 3족 원소인 Baron으로 도핑 되었다는 것을 알 수 있다. 위의 그래프에서 순수한 Si의 경우 Density of states가 0인 지점, 즉 Band Gap 부분이 0eV부근에 위치한다는 것과 Band Gap 부분이 0eV ~ 2eV사이에 위치하게 되어있다면 P-type 도핑, 반대로 -2eV ~ 0eV 부근에 위치하면 N-type 도핑 되었다는 것을 알 수 있다.

참고 자료

없음