SOI MOSFET 의 Process Parameter 최적화에 관한 연구

소개글

논문 발표자료입니다. SOI-MOSFET에 대한 상세 내용과 자세한 그림 포함
MEDICI사용방법등 소개

목차

1. 연구 배경 및 중요성

2. 연구 목표

3. 연구 내용 및 방법

4. 인용문헌

본문내용

최신 연구동향
미국의 IBM에서 제작한 게이트 길이 6nm의 MOSFET의 구조와 전기적인 특성으로서 현재까지 발표된 소자로서는 세계에서 가장 작은 크기이다. 소자 크기가 10nm 이하가 되어도 실온에서의 동작 특성의 저하, 또는 전도 기구의 변화는 보이지 않고 있으며, 스위칭 소자로서도 우수한 동작을 나타내고 있다. 기판 재료로서는 SOI를 사용하였고, 게이트 절연막으로서는 실리콘 산화막을 이용하였으며, 채널의 두께는 4.8nm의 초극박 실리콘 층이 사용되었다.

참고 자료

[1] Zheng Xuan Zhang, A new structure of SOI MOSFET for reducing self-heating effect (Ceramics International 30 (2004) 1289–1293)

[2] 장성준, Reduction of short channel Effects in Ground Plane SOI MOSFER’s
(전자공학회논문지 (2004) 제 41권 SD편 제4호)

[3] Jae Ki Lee, Device Design Guideline for Nano-scale SOI MOSFETs
(2002年 7月 電子工學會論文誌 第 39 卷 SD編 第 7 號)

[4] 선우경 , 2D Device Simulator(MEDICI)를 이용한 Device haracteristic 분석
(이화 여자 대학교 전자공학과 2004년 학위논문)

[5] 고집적화-SOI (http://blog.naver.com/lovesu5?Redirect=Log&logNo=100022584119)