Mosfet DC Characteristics and bias 실험예비레포트

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목차

예비레포트 <u>4페이지</u>
■ 실험목적
■ 실험부품 및 사용기기
■ 이론요약
■ 실험순서

■결과 레포트 양식 <u>1페이지</u>

본문내용

■ 실험목적
-포화 영역에서 동작하는 증가형(enhancement-type)금속-산화물 반도체 전계-효과 트랜지스터(MOSFET)의 단자 특성을 실험을 통해 이해한다.
-증가형 MOSFET를 포화영역에서 안정하게 동작시키기 위한 바이어싱 회로를 실험을 통해 이해한다.

4 -

■ 실험부품 및 사용기기
1
0-15V 직류 전원공급장치
2
저항
100KΩ(2), 6.8KΩ(2)
1
브레드 보드
1
MOS
CD4007
1
신호발생기
1
Capacitor
10uF
1
VOM
1
다이오드
1N4001



■ 이론요약
(1) DC characteristic










1. BJT와 마찬가지로, MOSFET들을 증폭기 또는 스위치로 사용하려면 직류 전원들로 이들을 바이어스 시켜야 한다. 그림 501에 두 개의 직류 전원을 이용하여 NMOS와 PMOS 트랜지스터를 바이어스시키기 위한 배열을 나타냈다.그림에서 게이트 전류 IG = 0이고, 이에 따라 드레인 전류와 소스 전류가 같다 즉, ID=Is라는 점에 주목하기 바란다.


<그림 5-1> 두 개의 직류 전원으로 바이어스된 증가형 MOSFET의 전압 극성과 전류 흐름


MOSFET들은 게이트와 소스 사이의 전압 VGS와 드레인과 소스 사이의 전압 VDS의 크기에 따라, 표 5-1에 보인 것처럼 서로 다른 동작 모드가 얻어진다. 표에서 Vt는 문턱전압을 의미한다. Vt의 값은 보통 1에서 3V의 범위 내에 있다. 트랜지스터를 증폭기로 사용하려면 이를 포화 모드에서 동작 시켜야 한다.

참고 자료

없음