[반도체] Flash Memory 와 FRAM
- 최초 등록일
- 2004.11.27
- 최종 저작일
- 2004.11
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목차
가. Flash Memory
1. Flash Memory 의 소개
2. Flash Memory 의 구조
3. Flash Memory 의 시장현황
4. Flash Memory 의 응용처
나. FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)
1. Ferroelectrics 이란?
2. FRAM의 소개
3. FRAM의 종류
4. FRAM의 장점
본문내용
가. Flash Memory(플래쉬 메모리)
1. Flash Memory 의 소개
소비전력이 작고, 전원이 꺼지더라도 저장된 정보가 사라지지 않은 채 유지되는 특성을 지닌 기억장치(반도체)이다. 곧 계속해서 전원이 공급되는 비 휘발성 메모리로, DRAM과 달리 전원이 끊기더라도 저장된 정보를 그대로 보존할 수 있을 뿐 아니라 정보의 입출력도 자유로워 디지털 텔레비전·디지털 캠코더·휴대전화·디지털 카메라·개인휴대단말기(PDA) ·게임기·MP3플레이어 등에 널리 이용된다.
종류는 크게 저장용량이 큰 데이터 저장형(NAND)과 처리 속도가 빠른 코드 저장형(NOR)의 2가지로 분류된다. 전자는 고집적이 가능하고 핸드디스크를 대체할 수 있어 고집적 음성이나 화상 등의 저장용으로 많이 쓰이는데, 2003년 2월 현재 한국의 삼성전자(주)가 세계 시장의 60%를 점유하고 있다. 코드 저장형은 2002년 기준으로 전체 플래시 메모리 시장의 80%를 차지하고 있는 메모리로, 인텔·AMD 등이 시장을 주도하고 있으며, 한국에서도 2003년 1월 128메가의 코드 저장형 플래시 메모리 제품을 개발하였다.
참고 자료
없음