(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 결과보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정

소개글

"(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 결과보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정"에 대한 내용입니다.

목차

1. 요약
2. 서론
3. 설계실습 결과
4. 결론

본문내용

source는 ground, V_DS=5V로 고정, V_GS를 증가시키면서 I_D를 측정하였고, V_T는 2.2V로 측정하였다. V_T는 2N7000 data sheet에서 표준값 2.1V로 명시되어 있으므로 거의 정확하였다. 측정값들을 i_D-v_GS 특성곡선으로 나타내었고, V_GS가 증가함에 따라 I_D또한 증가하는 것을 확인해 충분히 linear한 영역으로 bias해서 사용한다면 Amplifier로 작동할 수 있음을 확인할 수 있었다. 측정값들을 통해 구한 k_n, g_m은 V_ov=0.6V인 경우에 k_n=220 mA/V^2, g_m=132 mS로 계산할 수 있었다. 이 값들은 data sheet 상의 값에 따라 계산한 이론값 k_n=256 mA/V^2, g_m=153.6 mS과 오차율 -14.06%의 차이를 보였다. 오차의 이유로는 MOSFET의 온도특성에 따른 값의 변화를 생각해 볼 수 있었다. data sheet에 명시된 g_m의 최솟값은 100mS으로, 이 범위를 만족하기 때문에 잘 측정한 실험이라고 할 수 있겠다.

참고 자료

없음