전자회로실험 다이오드 특성 실험 (PSpice 첨부) 레포트

소개글

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목차

1. 실험목표

2. 관련이론
2.1 소개
2.2 소자(부품) 소개
2.3 실험 이론

3. 실험
3-1 실험부품
3-2 실험절차

4. PSpice 시뮬레이션 회로도
4-1. PSpice 시뮬레이션 결과

5. 실제 실험 결과

6. 참고문헌

본문내용

1. 실험목표
⚫ P- N 접합 다이오드의 물리적인 특성을 이해한다.
⚫ 순방향 바이어스와 역방향 바이어스도니 다이오드의 I - V 특성을 측정한다.
⚫ 오실로스코프를 이용하여 다이오드의 특성 곡선을 나타낸다.

2. 관련이론
2.1 소개
⚫ 다이오드란?
- 2개의 단자를 갖는 전자 부품으로서, 한쪽에 낮은 저항을, 다른쪽에 높은 저항을 두어 전류가 한쪽으로만 흐를 수 있게 하는 물질이다.

⚫ N형 반도체와 P형 반도체란?
- 기본적으로, 반도체 물질은 진성 상태에서 거의 전류가 흐르지 않으며, 그 값도 거의 0에 가깝다. 이것은 전도대내의 자유 전자와 가전자대의 정공의 수가 한정되어 있기 때문이다. 실리콘(혹은 게르마늄)의 전도성을 증가시키기 위해서는 자유 전자와 정공의 수가 증가 되도록 실리콘(혹은 게르마늄)의 성질을 바꿔야만 하고, 이것은 진성 물질에 불순물을 첨가함으로써 가능하다. 이러한 과정에서, N형과 P형인 두 가지 형의 불순물 반도체는 모든 형태의 전자 소자를 구성하는 핵심 요소가 된다.
참고로, 불순물을 넣어 전자 혹은 정공의 수를 증가시키는 과정을 도핑이라고 한다.

⚫ N형 반도체(캐소드, Cathode)
- 실리콘에서 전도대의 전자의 수를 늘리기 위해 비소, 인, 비스무스, 안티몬 과 같이 다섯 개의 가전자를 가진 5가(pentavalent)의 불순물 원자를 첨가한다.

- 보통, 이러한 5가의 불순물 원자들의 가전자들 중 네 개의 가전자는 실리콘 원자와 공유결합을 이루게 되고 결과적으로 한 개의 잉여전자가 남게 되는데, 이 잉여전자는 어떤 원자에도 구속되지 않기 때문에 전도 전자가 된다.

- 전도 전자의 수는 실리콘에 첨가하는 불순물 원자의 수에 따라 조절할 수 있다. 이러한 도핑 과정에 의해 만들어진 전도 전자는 가전자대를 전부 채우고도 남는 전자이므로 가전자대에 정공을 남기지 않는다.

참고 자료

전자회로실험 p.2~5