전자공학응용실험 텀프로젝트 mosfet과 다단증폭기 이용한 파워오디오앰프 제안서

소개글

"전자공학응용실험 텀프로젝트 mosfet과 다단증폭기 이용한 파워오디오앰프 제안서"에 대한 내용입니다.

목차

1. 서론
2. 설계 이론 및 디자인
3. 역할분담
4. 진행 계획
5. 프로젝트 예산
6. 참고문헌

본문내용

서론
이번에 우리조는 term-project주제가 다단증폭기를 포함한 microelectronic circuits이기 때문에 우리는 이번 2학기 실험에서 주로 다루던 mosfet을 이용하여 다단증폭기 회로를 설계하고자 하였다.
우리 실생활에는 출력이나 통신에 관련된 대부분의 전기/전자 장비에는 앰프가 들어있다고 봐도 무방하다.
모든 무선통신 장비, 스피커 앰프, 센서 종류 등 약해진 수신신호를 크게 해줄 필요가 있는 장비에는 어떠한 종류로든 앰프가 사용된다.
이에 우리는 MOSFET 다단증폭기를 활용하여 오디오 파워앰프를 설계하고자 한다.

설계 이론 및 디자인
MOSFET
MOSFET에서 MOS는 ‘Metal Oxide Semiconductor’의 약자로서 구조를 나타내며, FET는 ‘Field Effect Transistor’의 약자로서 동작 원리를 나타낸다.
바디는 p형 기판, 소오스와 드레인 영역은 n^+로 도핑을 한 MOSFET 구조를 ‘NMOS’라고 한다. 마찬가지로 바디는 n형 기판, 소오스와 드레인은 p^+로 도핑한 MOSFET 구조를 ‘PMOS’라고 한다.
MOSFET의 기본원리는 커패시터이다. 커패시터는 전하를 저장할 수 있는 수동소자이다. 면적이 넓고 두께가 얇을수록 커패시턴스가 증가한다. 전하량 Q=CV이므로 전압에 비례하여 전압이 높을수록 저장되는 전하량이 많아진다.
그렇다면 아래 그림과 같이 금속과 반도체 사이에 유전체를 넣어보고 전압을 인가해보자. 금속에 마이너스 전압을 인가하면 커패시턴스가 작용해 금속의 길이만큼의 반도체에는 플러스 전하가 쌓이게 된다. MOSFET구조로 연관시켜보면 금속은 Metal, 유전체는 Oxide, P형기판은 Semiconductor로 각각 M,O,S 의 영역으로 본다.

참고 자료

https://m.blog.naver.com/PostView.naver?isHttpsRedirect=true&blogId=tnalsdl326&logNo=220488666147
https://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET
https://yeonidoggi.tistory.com/226
https://yeji1214.tistory.com/11
https://blog.naver.com/korea2578/222506439395
https://kkhipp.tistory.com/128
단계별로 배우는 전자회로실험