숭실대 고분자 디바이스 예비레포트

소개글

이번 자료는 숭실대학교 신소재공학과 <신소재 공학 실험1>레포트 입니다.
실험 수업은 시험도 물론 중요하지만, 레포트와 실험 중의 참여도 점수도 꽤 큰 비중을 차지합니다.
그런데 이번엔 학과 개편이 일어나면서 실험 내용이 전부 바뀌게 되었습니다. 조교님들도 처음해보는 실험도 있었기에 자료를 찾는 것이 어려웠습니다. 저의 레포트가 참고가 되길 바랍니다.

목차

1. 실험 제목

2. 배경 및 이론
1) GO, rGO에 대해서 설명하세요.
2) 표면 처리 방법(e.g. 플라즈마 처리, SAM 처리 등등)을 설명 하세요.

3. 참고 문헌

본문내용

1) GO, rGO에 대해서 설명하세요.
GO는 흑연을 산화시킨 산화물(graphene oxide, GO) 형태이다. RGO는 GO를 환원시킨(reduced GO, RGO)물질이다.
그래핀(graphene)은 탄소 원자들이 sp2 결합으로 벌집모양의 배열을 이루면서 원자 한 층의 두께를 가지는 전도성 물질로서, 열적, 기계적 특성 또한 매우 우수한 신소재이다. 그래핀을 제조하는 방식은 bottom-up 및 top-down으로 크게 나눌 수 있으며, bottom-up 방식은 탄소 원자로부터 그래핀을 조립하는(build) 방식이며, top-down 방식은 흑연에서부터 그래핀 층을 뽑아내는(extract) 방식이다. 후자의 경우에는, 그래핀 각 층 사이의 강한 ππ interaction 때문에 그래핀 층을 뽑아내는 것이 용이하지 않으므로 흑연을 산화시킨 산화물(graphene oxide, GO) 형태로 만든 후, 이를 환원시켜 환원 GO (reduced GO, RGO)로 변형시키는 방식이 일반적이다.

참고 자료

박노일, 그래핀 옥사이드의 환원 반응에 적용되는 3종류 환원제에 관한 비교 연구, 2014
원영무, 자기 조립 단층(SAM)과 평판형 마이크로구조와 나노구조 형성