[A+][결과보고서] 중앙대 전자회로설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정

소개글

"[A+][결과보고서] 중앙대 전자회로설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정"에 대한 내용입니다.

목차

1. 설계실습 내용 및 분석
1.1 MOSFET 회로의 제작 및 측정
1.2 VG 가변에 따른 특성 곡선 측정

2. 결론

본문내용

이번 실험에서는 MOSFET 소자의 특성 (Vt, kn, gm)을 구해보고 설계, 구현하여 Vgs와 Vds의 전압 변화에 따른 전류 Id를 측정하고 특성곡선을 탐구함으로써 MOSFET 소자 특성을 알아볼 수 있었다. Vds는 5V로 고정한 채 Vgs를 점점 증가시키는 환경에서 Id를 구해 Id-Vgs 특성 곡선을 그릴 수 있었다. 이 특성곡선에서는 Vgs가 작을 때는 전류가 흐르지 않다가 어느 순간 흐르게 되는 때가 있는데 그 때의 전압이 Threshold voltage Vt를 측정할 수 있었다. Vgs와 Vds를 증가시키면서 Id를 구해 Id-Vds 특성곡선을 그릴 수 있었다.

참고 자료

없음