제11판 기초전자공학실험/ 실험3. 직렬 및 병렬 다이오드 구조

소개글

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목차

1. 실험 목적
2. 실험 장비
3. 이론 개요
4. 실험 내용 및 결과
5. 실험 결론
6. 토의 및 고찰

본문내용

- 직렬과 병렬로 구성된 다이오드 회로를 해석 이해하는 방법을 알 수 있었음.

- AND 게이트와 브리지로 구성된 회로 또한 해석ﾷ이해하는 방법을 익힐 수 있었음.

- 외부 영향으로 이론값, 계산값, 측정값이 조금 차이는 있었지만 회로의 해석에 큰 영향을 주지 않았음

- 직렬회로에서 다이오드의 문턱전압 이상의 바이어스를 가하였을 때, 다이오드에는 문턱전압 근사치의 값이 그리고 저항에는 저항의 크기에 비례하여 전압이 가해짐

- 전압을 켜면 수 ms이내 0V에서 5V로 증가한다. 이때 Ge 다이오드에 먼저 0.217V의 전압이 걸리게 된다. 그 순간에 Ge다이오드는 ON상태가 되고 0.217V를 유지한다.
따라서 Si다이오드는 0.551V가 되지 못하고 개방회로 상태가 유지된다.

- AND 게이트에서는 이상적 다이오드를 가정하기 때문에 두 입력단자에 모두 5V가 입력되어야 5V가 출력되며, 입력 단자 중 하나 이상의 단자에 0V를 가하면 0V가 출력된다.
하지만 실제 다이오드의 경우 문턱전압이 발생하기 때문에 그만큼의 전압이 측정됨을 알 수 있음.

참고 자료

없음