전자회로실험 제11판 예비보고서 실험3(직렬 및 병렬 다이오드 구조)

소개글

"전자회로실험 제11판 예비보고서 실험3(직렬 및 병렬 다이오드 구조)"에 대한 내용입니다. A+ 보고서 입니다. 이론부터 실습, pspice 컴퓨터 실습 내용 3가지 모두 작성된 보고서입니다. 도움이 많이 될거라 확신합니다^^

목차

1. 실험 개요
A. 실험 목적
B. 실험을 통하여 확인하고자 하는 내용

2. 이론

3. 실험 내용 및 절차

본문내용

2. 이론

순방향 바이어스 / 역방향 바이어스
다이오드와 직류 입력으로 구성된 회로의 해석은 다이오드가 ON인지 OFF인지 부터 확인하고 해석을 해야 한다. 실리콘(Si) 다이오드가 ON이 되려면 다이오드의 양단의 전압이 적어도 무릎전압인 0.7V이상(게르마늄(Ge)의 무릎전압은 0.3V) 되어야 한다. 다이오드 양단의 전압이 0.7V에 도달하면, 다이오드는 ON이 되고, 0.7V보다 낮거나 극성이 반대이면, 다이오드는 OFF이며, 다음과 같은 전기적인 등가회로를 갖는다.

다이오드로 논리 게이트 해석
논리 게이트 해석은 다이오드 상태를 가정하고, 여러 전압 레벨을 결정하고, 그 다음 결정된 전압이, 회로의 어떤 점(ex) 출력전압)에서 전압 레벨은 오직 1개 값만 갖는 것과 같은 기본 법ㅊ기에 위반되는 지를 판단한다. 다이오드를 on시키기 위해 천이 전압과 동일한 순방향 바이어스 전압이 있어야 함을 명심하자. 우선 출력 전압(Vo)을 결정하고 가정된 상태에서 다이오드에 관련된 어떠한 법칙에도 위반되지 않으면, 가정된 상태가 회로에 대한 해가 될 수 있다.

<중 략>

4. 실험 방법 및 절차

1.문턱 전압 VT
Si과 Ge 두 다이오드에 대해서 DMM의 다이오드 검사 기능 또는 커브 트레이서를 사용하여 문턱 전압을 측정하라. 이 실험에서 얻어진 점화 전위는 그림 3-2에서 보여준 각 다이오드의 등가적 특성을 나타낸다. 두 다이오드에서 얻어진 VT 값을 그림 3-2에 각각 기록하라. 만약 다이오드 검사 기능 또는 커브 트레이서를 이용할 수 없다면 Si에 대해서 VT= 0.7 V, Ge에 대해서 VT=0.3 V로 가정하라.

2. 직렬 구조
a. 그림 3-3의 회로를 구성하라. 저항 R 값을 측정하고 기록하라.

b.순서 1에서 측정한 Si 다이오드의 문턱전압과 R의 측정값을 이용하여 Vo와 ID의 이론적인 값을 계산하라. VD에 대해서는 VT값을 기입하라.

c. DMM으로 전압 VD와 Vo를 측정하고, 측정값으로부터 전류 ID를 계산하라. 순서 2(b)의 결과와 비교하라.

d. 그림 3-4의 회로를 구성하라. 저항값들을 측정하고 기록하라.

참고 자료

제11판 전자회로실험, 홍롱과학출판사