다이오드 반파,전파 및 브리지정류 예비레포트

목차

1. 목적
2. 관련 이론
3. 요약
4. 예비과제
5. 사용기기 및 부품
6. 실험순서

본문내용

<목 적>
(1) 반파정류회로의 출력파형을 관찰하고 측정한다.
(2) 전파정류회로의 출력파형을 관찰하고 측정한다.
(3) 브리지정류회로의 출력파형을 관찰하고 측정한다.

<관련이론>
거의 모든 전자장치는 dc 전원을 필요로 한다. 휴대할 수 있는 소형 장치는 전지 (battery) 로 충분하나 대부분의 전자장치는 전원장치 (power supply)를 필요로 한다. 이 전원장치는 ac 전원을 dc 전원으로 변환하는 정류회로 및 필터회로를 포함하고 있다. 정류회로에는 주로 반도체 diode 가 사용된다. 이 중에서도 확산접합형 실리콘정류기 (silicon rectifier)는 다른 반도체소자보다 높은 온도(175°C)에서 동작이 가능하며, 역방향 항복전압이 다른 소자보다 높고, 역방향 전류는 다른 소자보다 적게 흐르며, 순방향 전류는 많이 흐른다. 이상적인 정류기란 순방향으로 바이어스된 경우에는 저항이 on인 단락스위치처럼 동작하는 것을 말한다. 즉, anode의 전위가 cathode에 비해 (+)이면 ON 상태가 되고, (-)이면 OFF 상태가 된다. 그림 7-1은 실리콘정류기의 전압-전류특성이다. 이 특성곡선을 보면 순방향으로 바이어스된 경우에는 정류기의 순방향 저항 RF는 매우 작음을 알 수 있다. 그래프에서 보면 다이오우드에 0.6V가 결린 경우에는 0.2A의 전류가 흐르고, 이때의 순방향저항은 Rf= 0.6/0.2 = 3옴이다. 0.8 V인 때는 0.8 A 이므로 RF = o.8/o.8 = 1옴 이다. 따라서 다이 오우드 전류가 증가하면 순방향 저항은 감소함을 알 수 있다. 역방향 바이어스특성도 마찬가지이다. 역방향 바이어스전압이 300V인 경우에 0.4µA의 전류가 흐르므로 역방향 저항 RR=300/(0.4X10^-6)=·750M옴이고, 500V인 때에는 8µA가 흐르므로 RR=500/(8X10-6)=62.5M옴이다. 그림 7-1 의 그래프는 100°C 에서의 특성곡선이다.

참고 자료

없음