14장 JFET 및 MOSFET 바이어스 결과레포트

소개글

14장 JFET 및 MOSFET 바이어스 결과레포트입니다
pspice 시뮬레이션 결과 포함

목차

1. 실험 결과
1-1 JFET 자기 바이어스
1-2 JFET 전압분배 바이어스

2. 증가형 MOSFET 전압분배

3. 결론

본문내용

● 실험 결과

1-1 JFET 자기 바이어스

▶ 문턱전압이 –2.7V 이므로 0~-2.7V 사이에서 동작점이 있을 때 회로는 안정성 있게 동작하는데 그림1-1의 자기바이어스 조건 아래에서는 게이트와 소스의 전압차이가 –1.09V로 바이어스 되는 것을 확인할 수 있다.

▶ 15V의 전압을 외부에서 인가해줬을 때 회로의 각 노드별로 바이어스 포인트를 확인할 수 있는데, 게이트에는 전류가 흐르지 않기 때문에 13.96μV, 즉 거의 0V에 가까운 전압이기 때문에 Vgs는 –1.09V가 됨을 확인할 수 있다. 마찬가지로 드레인과 소스사이의 전압차 Vds는 약 12V임을 확인할 수 있다.

<중 략>

●결론
14장 JFET 및 MOSFET의 바이어스 회로 실험에서는 직류바이어스로 구성한 회로의 바이어스 조건 및 동작점을 확인하는 실험이었다.
JFET의 자기바이어스 회로에서는 게이트쪽에 전압강하가 없기 때문에 게이트-소스간의 전압차이는 항상 역바이어스 되도록 적절한 동작점 Q가 결정되는 회로이다.
JFET의 전압분배 바이어스 회로에서는 게이트-소스접합을 역방향 바이어스 시키기 위해 소스전압은 게이터에서의 전압보다 커야하고, 적절한 R1, R2, Vdd값을 선택하여 역방향 바이어스 조건을 맞춰주는게 중요한 설계 요건이라고 할 수 있다.

참고 자료

없음