싱글 레이어 그래핀 성장
- 최초 등록일
- 2021.04.29
- 최종 저작일
- 2020.03
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소개글
"싱글 레이어 그래핀 성장"에 대한 내용입니다.
목차
1. CVD (Chemical Vapor Deposition; 화학 기상 증착법)
2. CVD 증착 기판의 특성
3. 상태도 (Phase diagram)
본문내용
2. CVD 증착 기판의 특성
CVD를 통한 박막은 증착 기판의 성질과 증착조건에 많은 영향을 받는다. 증착 기판이란, 금속 박막 위에서 그래핀을 성장시키는데 촉매 역할을 하여 주입된 탄화수소를 분해하고 흡착하는 원리이다. 기판에 그래핀을 증착시킬 때 필요한 촉매 금속의 특성에 따라서도 증착된 그래핀의 형태가 달라진다. 이 때 사용하는 금속의 탄소 용해도에 따라 그래핀의 두께를 조절할 수 있다. 대표적으로 니켈과 구리 촉매 금속이 그래핀 합성에서 가장 많이 활용되고 있다. 니켈은 높은 탄소 용해도 때문에 다충층 그래핀(MLG, Multi-Layer Graphene)을 형성하고, 구리는 낮은 탄소 용해도로 인해 단일층 그래핀(SLG, Single-Layer Graphene)을 형성하는데 이용한다.
참고 자료
H. Cheun Lee. Synthesis of Single-layer Graphene: A Review of Recent Development. Procedia Chemistry 19 (2016) 916 – 921.
V. Singh, D. Joung, L. Zhai, et al. Graphene based materials: Past, present and future. Prog. Mater. Sci., 56 (2011), pp. 1178-1271
Y. Zhang, L. Zhang, C. Zhou. Review of Chemical Vapor Deposition of Graphene and Related Applications. Acc. Chem. Res., 46 (2013), pp. 2329-2339
