서울시립대학교 전자회로(정교수님) 기말레포트(설계 성공적, A+, NMOS, current mirror 설계, pspice)

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위의 그래프를 보면 전압의 왜곡이 V_sig의 amplitude가 0.01[V]에서 0.03[V]로 변하며 심해지는 것을 볼 수 있다. 이는, 아래의 그래프를 통해 이유를 알 수 있다.

xxx NMOS의 i_D-v_GS 특성
이때, 오른쪽 그래프를 보면, V_th지점에서 직선이 아닌 곡선의 형태를 띄고 있다는 것을 볼 수 있다. 이러한 특징으로 인해 가지는 두가지 특징을 이번 실험에서 확인이 가능하다.
첫 번째, V_G가 증가하는 경우와 감소하는 두가지 경우 중, V_G가 감소하는 경우에 더 큰 전류 변화가 생기게 된다. i_D-v_GS그래프는 2차 함수로 상승하는 곡선의 그래프이다. 즉, v_GS가 작을수록, 기울기가 작다. 따라서 아래에서 변화량이 더 적다.

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