[물리학 및 실험2] 기초회로 실험 보고서
- 최초 등록일
- 2021.01.30
- 최종 저작일
- 2020.12
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소개글
실험 레포트 만점, A+받은 물리보고서 입니다.
인터넷 자료 지양하고 책, 논문 등의 전문 자료를 참고하여 보고서 작성하였습니다.
특히 "결과분석"란을 매우 힘들여 작성하였기에 참고하시기 좋을 겁니다!
목차
1. 실험제목
2. 실험목적
3. 실험이론
4. 실험방법
5. 실험결과
6. 결과분석
7. 참고문헌
본문내용
1. 실험제목 : 기초회로 실험
2. 실험목적
저항의 양단에 걸리는 전압에 따른 전류를 측정하여 일반적인 저항에 대한 옴의 법칙을 확인하고, 반도체 다이오드의 전기(정류)특성을 측정하여 정류특성을 확인한다. 또한 여러 개의 저항과 기전력원이 연결된 회로의 측정을 통해 Kirchhoff의 법칙을 실험적으로 확인한다.
3. 실험이론
A. 전기저항
① 옴의 법칙
대부분의 저항 체의 경우, 그 양단에 걸리는 전압 V와 이에 흐르는 전류 I가 비례하는데, 그 비율을 전기저항 R이라한다. 저항 R [Ω]의 양단에 전압 V [v]를 인가하면 전류 I [A]가 흐르는데, 이때 이들의 관계식은 다음과 같다.
V = R I
여기서 전기저항 R은 물질의 종류, 모양, 크기 및 온도 등에 따라 달라진다. 이와 같이 전압 V와 전류 I가 일정한 상수비율(전기저항 R)로 주어지는 것을 옴의 법칙이라 한다.
반면에 반도체를 이용한 다이오드나 트랜지스터의 경우에는 옴의 법칙이 성립되지 않고, 전기저항은 걸린 전압의 방향이나 크기에 따라 달라진다.
참고 자료
일반 물리학/ 형설출판사/ 2019.09.13./ 신규승, 임대영 외/ 440~466p
일반 물리학 실험/ 형설출판사/ 2016.02.29./ 임헌화 외/ 163~174p
일반 물리학/ 법한서적주식회사/ 2015.07/ DAVID HALLIDAY 외/ 183~184p
도해 기계용어사전/ 일진사/ 1990. 4. 1./ 기계용어편찬회
"여러 가지 장벽 높이에 대한 쇼트키 다이오드의 전압-전류 특성에 관한 연구."/ 산업기술종합연구소/ 안병목 외/ 논문집 17.- (1999): 175-185.
물리학 백과/ 한국물리학회