8주차-실험8 예비 - MOSFET 기본특성2- 문턱전압, 이동도, "on"저항 Ron

목차

1. 실험 목적
2. 이론
3. 실험기기 및 부품
4. 예비실험

본문내용

문턱전압이란 전계효과 트랜지스터 (field-effect-transistor, FET)에서 소스와 드레인 사이에 전도채널을 형성시켜 소스와 드레인에 전압을 인가하면 이에 비례하는 전류를 흐르게 할 수 있는 게이트에 인가하는 최소전압을 말한다. 문턱전압 이하로 게이트에 전압을 인가할 경우에는 소스와 드레인 사이에 전압을 가하더라도 전류가 흐르지 않게 된다. 특히 MESFET의 경우에는 반도체의 표면부에 반전층(inverse rayer)이 형성되게 하는 최소게이트 인가 전압을 말하며, 이러한 반전층의 생성으로 전하채널이 형성되어 소스-드레인에 전류가 흐르게 된다.

참고 자료

없음