트랜지스터란 무엇인가, 전자회로 레포트, 한국폴리텍2대학(인천캠퍼스)

소개글

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목차

1. 트랜지스터의 개요
2. 트랜지스터 문제 풀이

본문내용

1. 트랜지스터의 개요
트랜지스터를 분류하는 방법은 접합 형태에 따라 NPN형, PNP형으로 구분되며, 공정에 따라 크게 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)와 전계 효과 트랜지스터(FET)로 구분된다.

트랜지스터는 교류 신호를 증폭하거나 전자 회로의 스위치 역할을 하도록 하는 반도체 소자이다. 이 중 가장 처음에 발명된 ‘바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)’는 1947년에 벨 연구소의 H.W.Brattain과 J.Bradin, W.Schockely가 게르마늄을 이용해 최초로 제작하였다. 이러한 트랜지스터(TR)는 두 개의 접합을 가지고 있으며 이 세 접합 부분을 두고 이미터(E), 콜렉터(C), 베이스(B) 등의 이름으로 부르고 있다.

이 글의 뒷장에서는 앞에서 설명할 트랜지스터와 관련된 문제를 풀어볼 것이다. 그 전에 필요한 내용들을 잠시 소개하고 뒷장에서는 정리해둔 문제를 살펴보는 시간을 가져보겠다.

(1) 트랜지스터 증폭률 관련 계산식
베이스(B)에 전압을 인기하면 V(BE)에 의해 I(B)가 흐르는데 이때 V(BE)에는 다이오드 특성에 따라 0.7V의 전압 강하가 일어난다. 그러므로 베이스에 인가되는 전압에는 0.7V까지 고려된 전압이 인가되어야 한다. V(CE)에는 약 0.2V의 전압 강하가 발생하므로 그 이상을 걸어주면 이미터(E)의 전류 I(E)에는 베이스와 콜렉터 전류의 합인 I(C) + I(B)가 흐르게 된다. 식으로 표현하면 I(E) = I(B) + I(C)가 된다.

참고 자료

없음