MOSCAP 전기적 특성

소개글

"MOSCAP 전기적 특성"에 대한 내용입니다.

목차

1. 결과
2. 고찰
3. 실험날짜
4. 실험제목
5. 예비이론
6. 출처

본문내용

2. 고찰
오늘 실험에서 Gate 바이어스와 Drain 바이어스값을 변경하면서 MOFET이 동작하는 지점을 확인하는 실험을 했다. 그런데 Gate 바이어스와 Drain 바이어스값을 증가시킬 때 Drain 전류 값을 측정하였는데 모두 일정하게 증가하는 결과가 나왔다. 이번 실험에서 쓰인 MOSFET은 PMOS인데 회로도는 NMOS를 사용하여 실험 해야하는 회로도 였다. PMOS는 Gate에 (-) 바이어스를 걸어주어야 하는데 (+) 바이어스를 걸어주어서 saturation 상태에서 실험을 한 것이다.

<중 략>

4. 실험제목 : 주파수에 따른 Capacitance 값 측정

5. 예비이론 :
MOSFET의 구조에서 MOS구조만 따로 보면 위의 그림과 같다. Gate에 (+)바이어스를 걸어주면 실리콘 접합면에 공핍층이 생기는데 Oxide층과 공핍층의 두께로 MOS의 capacitance값이 정해진다.

참고 자료

MOS structure : https://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/chapter6/ch6_2.htm
MOS c-v curve :https://mse.ndhu.edu.tw/ezfiles/29/1029/img/3428/SemiconductorDevices20170524.pdf