[2019 A+ 인하대 공업화학실험] 패터닝 예비보고서 공화실 예보

목차

1. 실험 목적
2. 실험 이론
3. 실험 방법
4. 참고 문헌

본문내용

1. 실험 목적
반도체 공정에 대한 전반적인 과정을 익히고, 각 과정들을 진행하는 이유와 어떻게 진행하는지에 대하여 이해한다. 패터닝된 산화막을 관찰하고, 식각 실험을 한다. 식각된 산화막을 관찰하고 마스크 패턴을 제거한다. 이 산화막을 관찰 후 식각 속도와 식각 선택도를 계산해본다.

2. 실험 이론
1) 플라즈마 (Plasma) 란?
플라즈마는 높은 온도에서 음전하를 가진 전자와 양전하를 띤 이온으로 분리된 기체 상태를 말한다. 절연체절 기체일 때 방전과정에서 생성된 전자, 이온, 중성입자들의 혼합체를 플라즈마라고 한다. 기체에 열을 계속 가하면 기체는 원자단위까지 해리되고 원자가 전자와 양전하를 가진 이온으로 전리된다. 이때 전하 분리도가 상당히 높으면서도 전체적으로 음과 양의 전하 수가 같아서 중성을 띠게 된다. 이러한 플라즈마는 중성기체와 전기적 성격으로 인해 다르고, 그리하여 이를 ‘제 4의 물질 상태’ 라고 한다. 전자 가속도가 커서 불균일이 생겨 다시 중성으로 되돌아가는 방향으로 운동을 일으키다보니 진동이 발생한다. 따라서 플라즈마 상태에 따라 특정한 플라즈마 진동수를 가진다.

2) 반도체 제조 공정과 정의
① 웨이퍼 공정
웨이퍼는 반도체에서 중요한 역할을 하는 재료이다. 먼저 Si, GaAs 등을 녹여 고순도 용액을 만들고 굳히면서 잉곳을 만들고 두번째로 잉곳을 적당한 크기로 잘라 얇은 웨이퍼를 만든다. 세번째로 절단으로 인해 거칠어진 표면을 공정으로 매끄럽게 갈아내고 마지막으로 세척 및 검사를 통해 웨이퍼를 확인한다.

참고 자료

이충훈, 『알기 쉬운 반도체』, 북스힐, 2016년, p5, p53~55, p92, p100, p116~118.
강기성, 『반도체 공학』, 한올출판사, 1997년, p77~p78.
이형옥, 『반도체 공정 및 장치기술』, 상학당, 2006년, p303~p308.
미상, 「Synthesis of the electrochromic materials and observe one’s color changes」, 『공업화학.화학공학 실험교재』, 인하대학교 화학공학과, 2019, p19~29.