2장 다이오드 특성 결렙

목차

1. 요약문
2. 실험내용
3. 실험결과
4. 문제점 및 애로사항
5. 설계프로젝트 진행사항
6. 결론
7. (별지) 측정 Datasheet

본문내용

요약문
다이오드의 소자를 이해하고 특성을 알아보았다. Si 다이오드와 Ge 다이오드 두 가지를 이용하여 다이오드마다 다른 문턱전압을 이해하고 다이오드가 역방향과 순방향으로 상태 되었을 때의 차이를 공부했다. 또 다이오드에 걸리는 전압에 따른 전류 값을 이용해 다이오드의 특성곡선을 그려 문턱전압에 대한 이론과 비교해보고 DC 저항과 AC 저항의 값을 확인하여 보았다.

실험내용
(1) 다이오드 검사
-Si 다이오드
-Ge 다이오드

DMM을 이용하여 다이오드의 동작 상태를 파악한다. 순방향으로 제대로 다이오드를 연결하였을 경우 문턱전압에 의해 Si 다이오드는 0.7V, Ge 다이오드는 0.3V의 전압을 보인다. 역방향으로 다이오드가 반대로 연결되었을 경우 개방회로를 나타내는 OL 응답을 나타내게 된다.

<중 략>

문제점 및 애로사항
두 개의 다이오드를 번갈아 사용하다 보니 다이오드를 헷갈리는 일도 있었고 소자 그림이 아닌 실제 다이오드의 모습을 처음 봐서 캐소드가 어느 쪽인지 알지 못해 순방향과 역방향을 헷갈리는 실수도 하고 말았다. 다행히 금새 소자사용에 익숙해져 뒤로 갈수록 기초적인 실수는 줄일 수 있었다.
다이오드에 걸리는 전압의 크기를 DMM을 이용해 측정할 때 전압값이 자꾸만 변화해서 정확히 측정하는 데에 어려움을 겪었다. 예상되는 원인으로는 프로브와의 연결이 불안정했을 수 있고 전압을 넣어주는 과정에서 회로를 건들였거나 Power Supply와의 연결이 불안정해졌을 수도 있다는 점이다. 이 점을 유의하여 다음 실험부터는 값을 정확히 측정할 수 있도록 할 계획이다.

설계프로젝트 진행사항
여러가지 조사를 통해 이번 실험들과 관련이 있는 주제를 몇가지 선정하였다. 앞으로 각 주제별로 정확한 회로를 조사하여 현재 지식과 경비에 맞추어 구현 가능성을 점검하고 한 가지 주제를 선별해 본격적으로 설계를 진행할 예정이다.

참고 자료

없음