BJT(bipolar junction transistor) 결과레포트 진동및동적시스템설계실습(진동실)
- 최초 등록일
- 2019.10.14
- 최종 저작일
- 2019.03
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소개글
2019-1 진동및동적시스템설계실습 레포트점수 3~6등(42명) 입니다.
목차
Ⅰ. Introduction
1. Experiment Purpose
2. Fundamentals of Bipolar junction transistor (BJT)
Ⅱ. Method
1. Preparations
2. Experimental procedure
Ⅲ. Result
1. Experimental result
2. Measurement of
Ⅳ. Discussion
1. Discussion
2. Error factor
Ⅴ. Conclusion
Ⅵ. Reference
Ⅶ. Appendix
본문내용
1. Experiment Purpose
이번 실험의 목적은 Bipolar junction transistor(BJT)의 원리를 이해하고 Active region에서의 특징을 이해하는 것이다. 그리고 을 변화시키면서 Collector current 을 이해해본다. Active region에서 Common-emitter current gain 을 이해한다.
2. Fundamentals of Bipolar junction transistor (BJT)
Bipolar junction transistor(BJT)는 기본적으로 p-n접합의 결합으로 이루어지고, NPN이나 PNP와 같이 서로 다른 도핑으로 이루어진 세 부분의 반도체로 구성된다. BJT는 반도체가 어떠한 순서로 도핑 되는지에 따라 PNP형 트랜지스터와 NPN형 트랜지스터의 2종류로 나뉜다. 전자의 흐름이 정공의 흐름보다 더 빠르기 때문에 NPN형 트랜지스터가 더 많이 사용된다. 이번 실험에서는 NPN transistor를 사용했다. 트랜지스터에는 Emitter, Collector, Base와 같이 3가지의 Terminal이 있다. BJT에서 KCL과 KVL 법칙을 사용하면 다음과 같은 전류, 전압 관계를 얻을 수 있다.
참고 자료
Department of Mechanical Engineering, 2019, Manual+of+Lab+5.+TR, Sungkyunkwan university.
Principles and Applications of Electrical Engineering, 6th edition, G. Rizzoni and James Kearns, McGraw Hill.
