2019학년도 3학년 1학기 중앙대 전자회로설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정 예비

목차

1. 목적
2. 준비물 및 유의사항
3. 설계실습 계획서

본문내용

Data Sheet를 보면 Threshold voltage, VT=2.1 V(Typical value)임을 알 수 있고, data sheet의 값 중에서 VGS=4.5V, ID=75mA일 때 VDS(ON)=0.14 V(Typical value)를 선택한다. VDS(ON)=0.14 V가 1V보다 훨씬 낮기 때문에 Drain과 Source가 거의 short 되었다고 볼 수 있고, Triode 영역에서 iD=kn(vGS-Vt)vDS 이며, 이를 통해 kn=ID/(VGS-Vt)/VDS(ON)을 도출할 수 있다. 따라서 kn=75/(4.5-2.1)/0.14 = 223 (mA/V2)임을 알 수 있다.
또한, gm=knVOV= 223×0.6= 133.8 (mA/V) 임을 알 수 있다.

참고 자료

없음