단국대학교 반도체 소자설계

목차

1. 설계과제의 목적/필요성 및 목표
2. 설계방법
3. 설계과정 및 결과
4. 기존 결과와 비교
5. 결론

본문내용

설계과제의 목적/필요성 및 목표
설계목적
T-CAD를 통해 변수를 바꿔 시뮬레이션 돌릴 수 있다.
설계 주제
T-CAD를 이용한 NMOS의 특성 향상
설계 내용
1. Vds-Id, Vgs-Id 특성 분석
2. Reference model의 특성과 상호 비교하여 Vd=5V 일 때 Vth 최소화
3. Reference model의 특성과 상호 비교하여 Vg=5V 일 때 saturation(@Vds=5V) 영역에서 Id값을 최대화

설계방법
1.설계 변수 특성 파악
Substrate Doping Concentration
Source/Drain Doping Profile
Material of Gate/Source/Drain
Geometry – Oxide Thickness, Gate Length
2.T-CAD를 이용하여 변수를 변화시켜 특성 변화의 방향과 크기를 확인 및 최적의 값을 찾는다

설계 과정
VTH =3.225V
ID = 0.5 mA @ VDS = 5V
NMOS가 안정적으로 동작하기 위해서는Drain Current가 무조건 높다고 좋은게 아니라
Linear region에서 Current의 기울기가 높고 원하는 Gate Voltage에서
일정한 Saturation Current가 흘러야 한다.

참고 자료

없음