[A+]아주대 전자회로실험 설계2 예비보고서 설계 2. CMOS 증폭단 설계

목차

1. 목적

2. 설계 사양

3. 설계 내용
1) MOSFET 특성 측정
2) 공통 소스 증폭단 특성 측정

4. 출처

본문내용

MOSFET 특성 측정
1) 이론
- MOSFET 특성 측정을 위한 회로 구성
주어진 회로를 통해 알 수 있듯이, 우리가 사용하는 소자는 기존에 사용하던 op-amp가 아닌 MOSFET 소자로 이루어져 있다. 우선 특성을 알아보기 위해 MOSFET 소자에 대해서 알아보면

위의 그림와 같이 Gate, Source, Drain으로 이루어져 있다. 칩의 내부는 위와 같이 Source와 Drain이 n+로 표시된 n-type 기판 위에 있고 나머지 부분은 p-type으로 이루어져 있다. 이 때, Gate에 전압을 인가해 주면 전하가 유도되어 p-type substrate가 n-type으로 도핑되어 이렇게 도핑이 이루어진 부분에는 전류가 흐를 수 있게 된다. 이렇게 전류가 흐를 수 있도록 인가된 전압은 라고 한다. Gate에 인가된 전압을 라고 하면 Drain과 Source 양단에 걸리는 전압 는 와 의 차이로 표현할 수 있다. 즉, 라는 식이 도출되고, 이 때 흐르는 전류는 일정하다.

참고 자료

MOSFET – https://www.google.co.kr/url?sa=i&rct=j&q=&esrc=s&source=images&cd=&ved=0ahUKEwjJze-0sMjQAhWIy7wKHWM-DLQQjhwIBQ&url=http%3A%2F%2Fwww.electronic-products-design.com%2Fgeek-area%2Felectronics%2Fmosfets%2Fusing-mosfets-as-general-switches&psig=AFQjCNGD7nTtC6GTul-iDx-5jl8Xx6f3uQ&ust=1480316908409514
계산
http://www-inst.eecs.berkeley.edu/~ee105/fa98/lectures_fall_98/091898_lecture11.pdf