기초회로실험 CMOS-TTL interface 결과보고서

목차

1. 실험 결과
2. 비고 및 고찰

본문내용

실험 (1)과 (2)에서는 NOR gate 와 NAND gate의 작동상태를 알아보는 실험이었다. 이론상 알고 있는 진리표는 위의 실험결과에 적어놓은 표와 같다. 실제 실험을 했을 때, NOR gate의 경우 10V인가시 진리표와 비슷하게 맞았다. 반면에 5V인가시에는 수치가 차이 나는 것을 확인 할 수 있는데, 이유는 회로 구성 시 문제가 있었거나 혹은 주변 환경 예를 들어, 전선을 손으로 만졌거나, 전선이 제대로 꼽혀있지 않는 경우 등의 문제가 있던 것 같다. 실험 (3)과 (4)에서는 저항을 바꿔가며 Vout을 측정하는 실험이었다. 먼저 실험 (3)에서는 저항을 바꿔도 Vout은 거의 미세한 변화만이 관찰되었다. 이론대로라면 거의 변화가 없이 측정 되는 것이 맞지만 인가한 5V와 비슷한 값에서 머물러야 하는데 회로 구성 시 문제가 있었던 것 같다. 실험 (4)에서는 저항이 증가할수록 Vout의 값은 작아지는 경향을 볼 수 있었다.

참고 자료

없음