반도체 다이오드, 제너 다이오드, 반파 정류회로

저작시기 2013.11 |등록일 2015.09.14 한글파일한글 (hwp) | 4페이지 | 가격 1,000원
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1. 실험 관련 이론
(1)반도체 다이오드
(2)제너 다이오드
(3)반파 정류회로

2. 참고 문헌

본문내용

1. 실험 관련 이론
(1)반도체 다이오드
다이오드는 p형 반도체와 n형 반도체를 붙여서 만들어진 전자부품이다. 반도체의 특성으로 인하여 p 쪽에서 n 쪽으로만 전류가 흐를 수 있고 반대방향으로는 전류를 통과시키지 않는 특성이 있다. 즉 다이오드에 전류가 흐르기 위해서는 p 쪽의 전위가 n 쪽보다 높아야 한다. 다이오드의 기호는 다음과 같다.
다이오드는 종류에 따라 차이가 있으나 최대로 흐를 수 있는 전류의 값이 정해져 있다. 일반 정류 다이오드의 경우 수 A 이며 스위칭 다이오드의 경우 수백 mA 로 어느 경우나 비교적 큰 전류에 사용이 가능하다. 그러나 고전류 회로를 구성할 때에는 이 값에 주의해야 한다.

다이오드에 역전압을 걸어주는 경우 (즉 n 쪽의 전위가 p 쪽보다 높은 경우) 무한정 전류의 흐름을 막아주지는 않는다. 어느 정도 이상의 역전압이 걸리면 전류가 흐르게 되는데 이를 Zenor breakdown 이라고 부르며, 이것이 일어나는 역전압 값은 다이오드의 종류에 따라 다르다.

참고 자료

http://147.46.56.171/physics_2/phy_file/2.htm#b (반도체 다이오드)
http://kjo4225.hosting.paran.com/instruction/1a-7.html (제너 다이오드)
http://blog.daum.net/trts1004/12109126 (반파 정류 회로)
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