반도체 LED 강의 4강 : LED Fab기술
- 최초 등록일
- 2014.05.20
- 최종 저작일
- 2014.01
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소개글
1장. 반도체 기술
2장. LED 에 대해
3장. LED의 CVD및 Epi기술
4장. LED의 Fab기술
5장. LED의 Package기술
6장. LED Device 와 특성
7장. 특수 LED 응용 및 market trend
목차
1. LED chip의Fab공정의과정(예)
2. LED fab공정순서
3. LED Chip에서의저항인자
4. N, P 전극에따른전류와광출력거동
5. ESD Breakdown
6. p-GaN의Roughening 공정
7. Laser Lift Off 기술
8. Scribing / dicing 기술
9. Vertical LED
10. Flip-chip LED
11. Chip의전기적특성평가
12. Chip의DC test결과(예)
13. Chip의Non-ideal I-V특성
14. LED 소자의Optical Power Properties (Package level)
15. LED의Spectral Properties (Package level)
16. LED의색온도(Color tempaerature)
17. 태양광의색온도
본문내용
Flip-chip LED
Chip Shaping을 통한 광추출 효율 증대 사파이어 배편 roughning을 통한 광추출 효율 증대 Microcavity 설계에 의한 광효율 증가 ; P-GaN 두께 조절 고반사막 기술 확보 (R>90%)
Sapphire 배면 Texturing
Light Extraction Microcavity effect; P-GaN 두께 n-GaN
Sapphire GaN n-GaN p-GaN
Sapphire GaN
반사도 > 90% 목표
참고 자료
없음