접합다이오드의 특성 예비 보고서(기초전자실험 with PSpice )
- 최초 등록일
- 2013.12.11
- 최종 저작일
- 2012.01
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목차
17.0. 실험 제목
17.1. 실험 주제
17.2. 실험 장비
17.3. 실험을 위한 기초 이론
17.4 실험
17.4.1 멀티미터를 이용한 다이오드의 시험법
17.4.2 다이오드의 순방향전류-전압 특성의 측정
17.4.3 다이오드의 순방향전류-전압 특성의 측정
본문내용
(1) 접합 다이오드의 원리
다이오드란 2개의 전극의 의미를 합성한 것으로, 2개의 전극을 가진 전자소자를 의미한다. 다이오드의 annode는 p형의 반도체로, cathode는 n형의 반도체로 만들어진다. 반도체는 전기 전도도나 저항 등의 물리적인 성질에 있어서 도체와 부도체의 중간값을 갖는다. 대표적인 반도체 재료인 Si를 비롯해서 각종 반도체 재료들은 순도를 높이기 위해 정제과정을 거치며, 이러한 상태의 반도체를 진성반도체(intrinsic semiconductor)라 한다. 진성반도체의 경우에는 외부에서 불순물을 투입하지 않은 상태이므로 전자와 정공의 농도가 낮고 그 농도도 같다. 진성반도체에는 인위적으로 불순물을 첨가하여, 전기 전도를 담당하는 전자나 정공의 농고를 변화시킬 수 있으며, 이를 도핑이라 한다. 밑의 표에 있는 대표적인 반도체 재료를 최외각의 전자수에 따라 구분하여 놓은 것이다. 표에서 최외각의 전자수에 따라 이를 ~족의 원소라 한다. 예를 들어, 최외각의 전자수가 3개인 붕소(B)는 3족이고, Si이나 Ge은 최외각의 전자수가 4개인 4족이다.
참고 자료
http://web.yonsei.ac.kr/hgjung/Lectures/ENE363/2%20PN%20%EC%A0%91%ED%95%A9%20%EB%8B%A4%EC%9D%B4%EC%98%A4%EB%93%9C.pdf (PDF파일)
http://ko.wikipedia.org/wiki/%EB%8B%A4%EC%9D%B4%EC%98%A4%EB%93%9C (다이오드의 설명)
