반도체 공정_CVD (메카니즘, 종류, System, Future)

소개글

대학교 4학년 반도체 인력 양성 프로그램 수료하면서 작성한 자료입니다.
반도체 공정중 CVD에 대한 Mechanism, 종류, Parameter, Future등에 대해서
상세하게 여러가지 원문서적을 바탕으로 제작했고 반도체 공정 CVD에 대한 이해와 정리된 자료가
필요하신분께 유용합니다.
PPT 양식또한 발표직전 자료 수준으로 Update되어있으니 활용하시기바랍니다.

영어발표 과제로 A+받은 발표자료입니다.

목차

Ⅰ. Introduction of CVD
A. What is the CVD?
B. Mechanism of Deposition
C. Mechanism of CVD
D. Features of CVD
E. Parameter of CVD
F. Growth control of CVD

Ⅱ. Systems of CVD
A. APCVD
B. LPCVD
C. PECVD
D. HDPCVD

Ⅲ. Resent Trend of CVD
A. Application CVD?
B. The future of CVD

본문내용

Thin Film manufacture method by of substrate and gas containing raw material of film

Mask for selective implantation
Insulator between the layers
Barrier of moisture and ions
Dielectric substance of capacitor

<중 략>

0.18~0.25㎛
200mm
Stand Alone Process
Batch Process
High temperature Process
Conventional CVD

0.15/0.13㎛ (’01~’04)
< 0.1㎛ (’03~’05)
300mm
Integrated Process
Single Wafer Process
Low temperature process
MOCVD / ALD

참고 자료

Tittle of book : Semi-Conductor Manufacturing Technology Author : Michael Quirk, Julian Serda Publisher: Person Education International
Tittle of book : Nanoelectronics and Information Technology Author : Waser, Rainer (EDT) Publisher: JohnWiley&SonsInc
Tittle of book : 반도체공정 및 장치기술 Author : 이형옥 Publisher: 도서출판 성학당
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