[아주대] 논리회로실험 2장 예비(CMOS 회로의 전기적 특성)

소개글

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목차

1. OBJECTIVES
2. RESUME OF THEORY
3. EQUIPMENT REQUIRED
4. PROCEDURE
5. EXPECTING RESULTS
6. 결선도

본문내용

OBJECTIVES
- CMOS 회로의 전기적 특성 이해. -> VOHmin, VIHmin이나 내부저항, transition time 등 실제 CMOS회로에서의 소자들의 특성을 실험을 통해서 직접 관찰하고 그 이유를 알아본다.
RESUME OF THEORY
Logic levels & DC noise margins
논리 소자의 logic level 판정 방식
V _{OHMIN} : HIGH를 출력할 때 최소 허용 전압
V _{IHMIN} : HIGH를 입력받을 때 최소 허용 전압
V _{OLMAX} : LOW를 출력할 때 최대 허용 전압
V _{ILMAX} : LOW를 입력받을 때 최대 허용 전압
보통 V _{OHMIN}은 V _{IHMIN}보다 크게 V _{OLMAX}는 V _{ILMAX}보다 작게 설계하며 그 차이를 noise margin이라 한다.

<중 략>

실험4)
위 회로를 bread board에 구성하고 파형발생기를 이용하여 5V의 진폭을 가진 사각 파를 발생시켜 오실로스코프를 이용하여 인버터를 2번 거친 4번 핀에서의 전달시연시간과 인버터를 6번 거친 8번 핀에서의 전달지연시간을 측정하여 인버터의 전달지연시간 T _{PD}를 구하고 data sheet의 값과 비교해 본다.
EXPECTING RESULTS
실험1)
인버터의 입출력 결과를 예상해보면 옆 그림과 같은 모양이 관찰될 것이며 입력이 1.5V ~ 3.5V일 때는 High나 Low 논리 값으로 정의할 수 없는 출력 값이 나올 것이다.

참고 자료

없음