[LCD실험] 비정질 실리콘의 광학적 밴드갭 측정

목차

실험 목적
실험 장비
실험 방법
실험 결과
고찰
참고 문헌

본문내용

실험 목적 :비정질실리콘의광학적특성을알아 본다.
실험 장비 :
UV-visible system a-Si:H thin film
실험 이론 :
비정질실리콘
- 산업성
저온공정이가능하고빛에대한높은감도를가지며, 대면적에서균일한특성을가진다. 이러한비정질실리콘을이용한 solar cell과 flat panel display의 구성요소로써비정질실리콘박막트랜지스터를 이용한액정표시장치는이미상업화가되고있다. 이외에도빛에대한높은감도를이용한이미지센서(image sensor), 대면적에서균일한특성을이용해유기발광디스플레이(AMOLED) 등에도적용되고있다.

<중 략>

위의 sigma-plot에서 그려낸 그래프의 일부를 확대한 것으로써 근사 접선을 그어 보면, 옵티컬 밴드 갭이 약 2.6 eV 정도가 나오는 것을 알 수 있다.
-p-Si
p-Si 의 경우 접선을 그어보면, 옵티컬 밴드갭이 3.4eV 정도가 나온다.
고 찰:
a-Si에서 의 옵티컬 밴드갭이 2.6eV, p-Si의 옵티컬 밴드갭이 3.4eV정도로 a-Si의 옵티컬 밴드갭이 더 낮게 측정되는 것을 볼 수 있는데, 이는 p-Si의 경우보다 더 다양한 레벨의 에너지 스테이트가 존재하기 때문으로 보인다.
이러한 것은 p-Si의 경우에는 작은 결정의 집합체이므로 국소적으로 생긴 작은 결정 각자는 같은 에너지 레벨을 보이게 되고, 결정과 결정 사이의 grain 부분에만 새로운 층을 energy level state가 존재하게 된다. 그러므로 부분결정이 없어 grain이 전면적으로 분포한 것과 동일시 취급할 수 있는 a-Si에 비해 에너지 스테이트의 다양성이 상대적으로 작다.

참고 자료

디스플레이소자공학
디스플레이 공학(청범사)
경희대 정보디스플레이 학과 강의 자료 (9주_a-Si의_광학적_및_전기적_특성_분석)
경희대 정보디스플레이 학과 강의 자료 (10주_Poly-Si의_광학적_특성)