메모리 반도체 제작 과정 및 이론 설명 ppt

소개글

메모리 반도체 제작 과정 및 이론 설명 ppt (FRAM)

목차

1. 웨이퍼 가공 공정
2. FRAM 공정 설명

본문내용

Ingot 절단
성장된 Ingot을 균일한 두께의 얇은 웨이퍼로 잘라낸다.
웨이퍼의 크기는 규소 봉의 구경에 따라 3”, 4”, 6”, 8”로 만들어지며 생산성향을 위해 점점 대구경화 경향을 보이고 있음.

웨이퍼 표면연마
웨이퍼의 한 쪽면을 연마하여 거울면처럼 만들어 주며, 이연마된 회로 .

회로설계
CAD(com-puter Aided Design) 시스템을 사용하여 전자회로와 실제 웨이퍼 위에 그려질 회로패턴을 설계함.

<중 략>

Photo Resist
Negative resist
○ high molecular weight polymer(MW~65,000)
○ UV 광이 감응제(additive)에 흡수되면 N-N 결합이 깨어지고 대단히 활성인 dangling bond가 생성
○ 감응제가 다중체(polymer)와 가교(crosslink) 반응을 일으켜 노광된 감광제(photoresist)는 현상액(developer)에 잘 녹지 않음

참고 자료

없음